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1. (WO2005083762) PROCEDE D'ACTIVATION DE DOPANT D'ELECTRODE GRILLE POUR LA FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/083762    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/004318
Date de publication : 09.09.2005 Date de dépôt international : 10.02.2005
CIB :
H01L 21/268 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
MA, Yi [US/US]; (US) (US Seulement).
AHMED, Khaled, Z. [EG/US]; (US) (US Seulement).
CUNNINGHAM, Kevin, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
MCINTOSH, Robert, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
MAYUR, Abhilash, J. [IN/US]; (US) (US Seulement).
LIANG, Haifan [US/US]; (US) (US Seulement).
YAM, Mark [US/US]; (US) (US Seulement).
LEUNG, Toi, Yue, Becky [CN/US]; (US) (US Seulement).
OLSEN, Christopher [US/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Shulin [US/US]; (US) (US Seulement).
FOAD, Majeed [GB/US]; (US) (US Seulement).
MINER, Gary, Eugene [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MA, Yi; (US).
AHMED, Khaled, Z.; (US).
CUNNINGHAM, Kevin, L.; (US).
MCINTOSH, Robert, C.; (US).
MAYUR, Abhilash, J.; (US).
LIANG, Haifan; (US).
YAM, Mark; (US).
LEUNG, Toi, Yue, Becky; (US).
OLSEN, Christopher; (US).
WANG, Shulin; (US).
FOAD, Majeed; (US).
MINER, Gary, Eugene; (US)
Mandataire : PATTERSON, B., Todd; Moser, Patterson & Sheridan, LLP, 3040 Post Oak Boulevard, Suite 1500, Houston, TX 77056-6582 (US)
Données relatives à la priorité :
10/784,904 23.02.2004 US
Titre (EN) GATE ELECTRODE DOPANT ACTIVATION METHOD FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING
(FR) PROCEDE D'ACTIVATION DE DOPANT D'ELECTRODE GRILLE POUR LA FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)In one embodiment, the invention generally provides a method for annealing a doped layer deposited on a substrate. The method includes depositing a polycrystalline layer on a substrate surface such as a gate oxide layer and implanting the polycrystalline layer with a dopant to form a doped polycrystalline layer. The method further includes exposing the doped polycrystalline layer to a rapid thermal anneal to readily distribute the dopant throughout the polycrystalline layer. Subsequently, the method includes exposing the doped polycrystalline layer to a laser anneal to activate the dopant in an upper portion of the polycrystalline layer. The laser anneal incorporates the dopant, atoms into the crystalline lattice of the polycrystalline material.
(FR)Dans un mode de réalisation, la présente invention concerne généralement un procédé de recuit d'une couche dopée déposée sur un substrat. Ledit procédé consiste à déposer une couche polycristalline sur une surface de substrat, telle qu'une couche d'oxyde de grille, et à implanter un dopant dans la couche polycristalline pour former une couche polycristalline dopée. Ledit procédé consiste en outre à exposer la couche polycristalline dopée à un recuit thermique rapide pour répartir facilement le dopant dans la couche polycristalline. Enfin, ledit procédé consiste à exposer la couche polycristalline dopée à un recuit laser pour activer le dopant dans une partie supérieure de la couche polycristalline. Le recuit laser intègre les atomes de dopant dans le réseau cristallin de la matière polycristalline.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)