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1. (WO2005083757) PROCÉDÉ DE SÉPARATION D’UNE RÉSERVE ET PROCÉDÉ DE RETOUCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/083757    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/003392
Date de publication : 09.09.2005 Date de dépôt international : 01.03.2005
CIB :
G03F 7/42 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
ASHIGAKI, Shigeo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KATO, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIROTA, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MURAKI, Yusuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWASAKI, Tetsu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIMURA, Satoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ASHIGAKI, Shigeo; (JP).
KATO, Yoshihiro; (JP).
HIROTA, Yoshihiro; (JP).
MURAKI, Yusuke; (JP).
KAWASAKI, Tetsu; (JP).
SHIMURA, Satoru; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-056629 01.03.2004 JP
Titre (EN) METHOD FOR SEPARATING RESIST FILM AND REWORK PROCESS
(FR) PROCÉDÉ DE SÉPARATION D’UNE RÉSERVE ET PROCÉDÉ DE RETOUCHE
(JA) レジスト膜の剥離方法およびリワーク方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for processing a substrate comprising a step for sequentially forming an Si-C film and a resist film on an object film to be etched which is formed on a substrate, a first etching step for etching the Si-C film using the resist film as a mask, and a second etching step for etching the object film using the resist film and the Si-C film as a mask. This method further comprises a separation step at a desired timing wherein the resist film is separated. The separation step has a preparation sub-step for preparing an organic solvent as a remover, and an application sub-step for applying the organic solvent to the resist film.
(FR)Il est prévu un procédé de traitement d’un substrat comprenant une phase de formation séquentielle d’un film Si-C et d’une réserve sur un film objet à corroder, formé sur un substrat, une première phase de corrosion pour corroder le film Si-C à l’aide de la réserve comme masque, et une seconde phase de corrosion pour corroder le film objet à l’aide de la réserve et du film Si-C comme masque. Ce procédé comprend en outre une phase de séparation à un moment désiré dans lequel on sépare la réserve. La phase de séparation comporte une phase annexe de préparation pour élaborer un solvant organique comme décapant, et une phase annexe d’application pour appliquer le solvant organique à la réserve.
(JA) 本発明は、基板に形成されたエッチング対象膜の上に、Si−C系膜と、レジスト膜と、を順次形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして前記Si−C系膜をエッチングする第1エッチング工程と、前記レジスト膜および前記Si−C系膜をマスクとして前記エッチング対象膜をエッチングする第2エッチング工程と、を備えた基板の処理方法に関する。本方法は、所望のタイミングにおいて前記レジスト膜を剥離する剥離工程を更に備える。前記剥離工程は、剥離剤としての有機溶剤を用意する準備工程と、前記有機溶剤を前記レジスト膜に適用する適用工程と、を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)