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1. (WO2005083753) DISPOSITIF DE TRAITEMENT SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/083753    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/001658
Date de publication : 09.09.2005 Date de dépôt international : 04.02.2005
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
AMIKURA, Norihiko [JP/JP]; (US Seulement).
TEZUKA, Kazuyuki [JP/JP]; (US Seulement).
MIYOSHI, Risako [JP/JP]; (US Seulement)
Inventeurs : AMIKURA, Norihiko; .
TEZUKA, Kazuyuki; .
MIYOSHI, Risako;
Mandataire : SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE 1-12-9, Toranomon, Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-050625 26.02.2004 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR TREATING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体処理装置
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor treating device (1) includes treating chambers (2) connected to a common transportation chamber (8) and treating a substrate (W) to be treated. A gas supply system (40) for supplying a predetermined gas to each of the treating chambers (2) is attached to each chamber. The gas supply system (40) has a primary side connection unit (23) connected to the source of the predetermined gas and has a flow rate control unit (13). The primary side connection unit (23) is placed on the lower side of the corresponding treating chamber (2). The flow rate control unit (13) is placed on a gas line for supplying the gas from the primary side connection unit (23) to the corresponding treating chamber (2). The flow rate control unit (13) is provided such that at least a part of it is superposed on the upper side of the primary side connection unit (23).
(FR)Un dispositif de traitement semi-conducteur (1) comporte des chambres de traitement (2) connectées à une chambre de transport commune (8) et traitement d’un substrat (W) à traiter. Un circuit d’arrivée de gaz (40) servant à injecter un gaz prédéterminé à chacune des chambres de traitement (2) est relié à chaque chambre. Le circuit d’arrivée de gaz (40) possède une unité de connexion côté primaire (23) connectée à la source de gaz prédéterminée et possède une unité de contrôle de débit (13). L’unité de connexion côté primaire (23) est placée sur le côté inférieur de la chambre de traitement correspondante (2). L’unité de contrôle de débit (13) est placée sur un circuit de gaz pour injecter le gaz entre l’unité de connexion côté primaire (23) et la chambre de traitement correspondante (2). L’unité de contrôle de débit (13) est pourvue de telle sorte qu’au moins une partie de celle-ci est superposée sur le côté supérieur de l’unité de connexion côté primaire (23).
(JA) 半導体処理装置(1)は、共通搬送室(8)に接続された、被処理基板(W)に処理を施すための複数の処理室(2)を含む。各処理室(2)に所定のガスを供給するためのガス供給システム(40)が付設される。ガス供給システム(40)は、所定のガスのガス源に接続された一次側接続ユニット(23)と流量制御ユニット(13)とを有する。一次側接続ユニット(23)は、対応の処理室(2)の下側に配置される。流量制御ユニット(13)は、一次側接続ユニット(23)から対応の処理室(2)内にガスを供給するガスライン上に配設される。流量制御ユニット(13)は一次側接続ユニット(23)の上側に少なくとも一部が重なるように配置される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)