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1. (WO2005083734) INTERRUPTEUR MEMS HAUTE FREQUENCE COMPORTANT UN ELEMENT DE COMMUTATION COURBE, ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/083734    N° de la demande internationale :    PCT/DE2005/000317
Date de publication : 09.09.2005 Date de dépôt international : 25.02.2005
CIB :
H01H 59/00 (2006.01), H01P 1/12 (2006.01)
Déposants : EADS DEUTSCHLAND GMBH [DE/DE]; Willy-Messerschmitt-Strasse, 85521 Ottobrunn (DE) (Tous Sauf US).
PRECHTEL, Ulrich [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ZIEGLER, Volker [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : PRECHTEL, Ulrich; (DE).
ZIEGLER, Volker; (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2004 010 150.7 27.02.2004 DE
Titre (DE) HOCHFREQUENZ-MEMS-SCHALTER MIT GEBOGENEM SCHALTELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
(EN) HIGH-FREQUENCY MEMS SWITCH COMPRISING A CURVED SWITCHING ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SAID SWITCH
(FR) INTERRUPTEUR MEMS HAUTE FREQUENCE COMPORTANT UN ELEMENT DE COMMUTATION COURBE, ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(DE)Ein Hochfrequenz-MEMS-Schalter (10) umfasst einen Signalleiter (12), der auf einem Substrat (11) angeordnet ist, sowie ein länglich geformtes Schaltelement (13), das einen gebogenen, elastischen Biegebereich (133, 132) aufweist und frei­tragend auf dem Substrat (11) befestigt ist. Eine Elektrodenanordnung (14a, 14b) dient zur Erzeugung einer elektrostatischen Kraft, die auf das Schaltelement (13) wirkt, um das Schaltelement zum Signalleiter (12) hin zu biegen. Dabei ist das Schaltelement (13) in seiner Längsrichtung parallel zum Signalleiter (12) angeord­net, und es weist einen Kontaktbereich (15) auf, der sich quer zum Schalterele­ment (13) über den Signalleiter (12) erstreckt. Der elastische Biegebereich (131, 132) des Schaltelements (13) nähert sich bei Einwirkung der elektrostatischen Kraft fortschreitend an die Elektrodenanordnung (14a, 14b) an, in einer Richtung, die parallel zur Signalleitung (12) gerichtet ist. Das Schaltelement (13) hat z.B. zwei parallel zueinander verlaufende Schaltarme (1 3a, 13b), die durch eine Brü­cke als Kontaktbereich (15) miteinander verbunden und beidseitig der Signallei­tung (12) und parallel zu dieser angeordnet sind.
(EN)The invention relates to a high-frequency MEMS switch (10) comprising a signal conductor (12), which is located on a substrate (11), in addition to an elongated switching element (13) that has a curved, elastic flexible region (131, 132) and is fixed in a self-supporting manner to the substrate (11). An electrode assembly (14a, 14b) generates an electrostatic force that acts on the switching element (13) in order to move the switching element towards the signal conductor (12). The switching element (13) is aligned longitudinally in parallel with the signal conductor (12) and comprises a contact region (15), which extends transversally to the switching element (13) over the signal conductor (12). The elastic flexible region (131, 132) of the switching element (13) moves progressively towards the electrode assembly (14a, 14b) with the action of the electrostatic force in a direction that runs parallel to the signal conductor (12). The switching element (13) comprises e.g. two parallel switching arms (13a, 13b), which are interconnected by a bridge that forms a contact region (15) and which are located on either side of the signal conductor (12), running parallel to the latter.
(FR)L'invention concerne un interrupteur MEMS haute fréquence (10) comprenant un conducteur de signaux (12) qui est disposé sur un substrat (11), ainsi qu'un élément de commutation (13) oblong qui comporte une zone de flexion élastique courbée (133, 132) et qui est fixé de manière saillante sur le substrat (11). Un ensemble d'électrodes (14a, 14b) sert à générer une force électrostatique qui agit sur l'élément de commutation (13), pour faire fléchir cet élément de commutation vers le conducteur de signaux (12). Ledit élément de commutation (13) s'étend parallèlement au conducteur de signaux (12) dans la direction longitudinale et comporte une zone de contact (15) qui s'étend transversalement à l'élément de commutation (13) au-dessus du conducteur de signaux (12). La zone de flexion élastique (131, 132) de l'élément de commutation (13) se rapproche progressivement de l'ensemble d'électrodes (14a, 14b) sous l'effet de la force électrostatique, dans une direction parallèle au conducteur de signaux (12). L'élément de commutation (13) comporte par exemple deux bras de commutation parallèles (13a, 13b) qui sont reliés l'un à l'autre par l'intermédiaire d'un pont formé par ladite zone de contact (15), et qui sont disposés de part et d'autre du conducteur de signaux (12), parallèlement à celui-ci.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)