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1. (WO2005083715) RESEAUX MEMOIRE MULTICOUCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/083715    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/005779
Date de publication : 09.09.2005 Date de dépôt international : 24.02.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.09.2005    
CIB :
G11C 5/02 (2006.01), G11C 11/16 (2006.01), G11C 16/04 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way, Boise, ID 83716 (US) (Tous Sauf US).
PRALL, Kirk, D. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PRALL, Kirk, D.; (US)
Mandataire : MYRUM, Tod, A.; P.O. Box 581009, Minneapolis, MN 55458-1009 (US)
Données relatives à la priorité :
10/786,765 25.02.2004 US
Titre (EN) MULTI-LAYER MEMORY ARRAYS
(FR) RESEAUX MEMOIRE MULTICOUCHE
Abrégé : front page image
(EN)Multi-layer memory arrays and methods are provided. A memory array has two or more layers of memory material, each layer of memory material having an array of memory cells. A first contact penetrates through each layer of memory material in a first plane and is electrically connected to each layer of memory material so as to electrically interconnect the layers of memory material in the first plane. A second contact penetrates through at least one of the layers of memory material in a second plane substantially perpendicular to the first plane.
(FR)L'invention concerne des réseaux mémoire multicouche et des procédés associés. Un réseau mémoire comprend au moins deux couches de matériau mémoire et chaque couche de celui-ci comprend un réseau de cellules mémoire. Un premier contact pénètre dans chaque couche de matériau mémoire dans un premier plan et est connecté électriquement à chaque couche de matériau mémoire, de manière à interconnecter électriquement les couches de matériau mémoire dans le premier plan. Un second contact pénètre dans au moins une des couches de matériau mémoire dans un second plan sensiblement perpendiculaire au premier.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)