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1. (WO2005083490) MICROSCOPE ET MÉTHODE D'EXAMEN D'ÉCHANTILLONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/083490    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/003163
Date de publication : 09.09.2005 Date de dépôt international : 25.02.2005
CIB :
G02B 21/00 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho Hamamatsu-shi Shizuoka 435-8558 (JP) (Tous Sauf US).
TERADA, Hirotoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ARATA, Ikuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TOKIWA, Masaharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANABE, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKAMOTO, Shigeru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TERADA, Hirotoshi; (JP).
ARATA, Ikuo; (JP).
TOKIWA, Masaharu; (JP).
TANABE, Hiroshi; (JP).
SAKAMOTO, Shigeru; (JP)
Mandataire : HASEGAWA, Yoshiki; SOEI Patent and Law Firm Ginza First Bldg. 10-6, Ginza 1-chome Chuo-ku, Tokyo 104-0061 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-053343 27.02.2004 JP
Titre (EN) MICROSCOPE AND SAMPLE OBSERVING METHOD
(FR) MICROSCOPE ET MÉTHODE D'EXAMEN D'ÉCHANTILLONS
(JA) 顕微鏡及び試料観察方法
Abrégé : front page image
(EN)For a semiconductor device (S) to be observed, an image fetching part (1), an optical system (2) including an objective lens (20), and a solid immersion lens (SIL) (3), which can move between an inserting position including an optical axis from the semiconductor device (S) to the objective lens (20) and a waiting position out of the optical axis, are arranged. Observation is performed in two control modes. In a first mode, the SIL (3) is arranged at the waiting position, and a focal point and aberration are corrected, based on a refraction factor n0 and a thickness t0 of a substrate of the semiconductor device (S). In a second mode, the SIL (3) is arranged at the inserting position, and a focal point and aberration are corrected, based on the refraction factor n0 and the thickness t0 of the substrate and a refraction factor n1, a thickness d1 and a curvature radius R1 of the SIL (3). Thus, a microscope and a sample observing method are provided to easily perform necessary sample observation required for fine structure analysis of semiconductor devices.
(FR)Pour examiner un dispositif à semi-conducteur (S), on agence une partie acquisition d'image (1), un système optique (2) comportant une lentille d'objectif (20), et une lentille à immersion solide (SIL) (3) pouvant se déplacer entre une position d'insertion, comportant un axe optique allant du dispositif à semi-conducteur (S) à la lentille d'objectif (20), et une position d'attente hors de l'axe optique. L'examen s'effectue en deux modes de commande. Dans un premier mode, la SIL (3) est mise en position d'attente, et un foyer et une aberration sont corrigés, sur la base d'un facteur de réfraction n0 et d'une épaisseur t0 d'un substrat du dispositif à semi-conducteur (S). Dans un deuxième mode, la SIL (3) est mise en position d'insertion, et un foyer et une aberration sont corrigés, sur la base d'un facteur de réfraction n0 et de l'épaisseur t0 du substrat et d'un facteur de réfraction n1, d'une épaisseur d1 et d'un rayon de courbure R1 de la SIL (3). On dispose ainsi d'un microscope et d'une méthode d'examen d'échantillons pour la réalisation facile des examens d'échantillons nécessaires à l'analyse de structure fine des dispositifs à semi-conducteurs.
(JA) 検査対象の半導体デバイスSに対して、画像取得部1と、対物レンズ20を含む光学系2と、半導体デバイスSから対物レンズ20への光軸を含む挿入位置、及び光軸を外れた待機位置の間を移動可能な固浸レンズ(SIL)3とを設置する。そして、SIL3を待機位置に配置し、半導体デバイスSの基板の屈折率n、及び厚さtに基づいて焦点及び収差を補正する第1モードと、SIL3を挿入位置に配置し、基板の屈折率n、厚さt、SIL3の屈折率n、厚さd、及び曲率半径Rに基づいて焦点及び収差を補正する第2モードとの2つの制御モードで観察を行う。これにより、半導体デバイスの微細構造解析などに必要な試料の観察を容易に行うことが可能な顕微鏡、及び試料観察方法が得られる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)