WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2005083374) CAPTEUR INFRAROUGE ET PROCEDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/083374    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/003118
Date de publication : 09.09.2005 Date de dépôt international : 25.02.2005
CIB :
G01J 1/02 (2006.01), G01J 5/02 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H01L 35/32 (2006.01), H01L 35/34 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho Hamamatsu-shi Shizuoka 4358558 (JP) (Tous Sauf US).
SHIBAYAMA, Katsumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SHIBAYAMA, Katsumi; (JP)
Mandataire : HASEGAWA, Yoshiki; Soei Patent and Law Firm Ginza First Bldg., 10-6 Ginza 1-chome, Chuo-ku Tokyo 1040061 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-052114 26.02.2004 JP
Titre (EN) INFRARED SENSOR AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
(FR) CAPTEUR INFRAROUGE ET PROCEDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 赤外線センサ及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A through-hole (P) of an infrared sensor is provided at a position facing an adhesion layer (AD). Even if a difference in pressure occurs between the inside and outside of a space defined by the adhesion layer (AD), the through-hole (P) and its bottom are supported by the adhesion layer (AD). This suppresses deterioration and damage in the through-hole (P), its bottom, and an insulation film (Pi) formed in the through-hole, enhancing characteristics of the infrared sensor.
(FR)Un trou de passage (P) d'un capteur infrarouge est prévu á une position faisant face á une couche d'adhésion r (AD). Même si la différence de pression se produit entre l'intérieur et l'extérieur d'un espace défini par la couche d'adhésion (AD), le trou de passage (P) et son fond sont supporté par la couche d'adhésion (AD). Cela supprime la détérioration dans le trou de passage (P), son fond, et une couche isolante (Pi) formée dans le trou de passage augmentant les caractéristiques du capteur infrarouge.
(JA) この赤外線センサの貫通孔Pは、接着層ADに対向する位置に設けられている。接着層ADによって画成される空間の内外で圧力差が生じても、貫通孔Pとその底部は接着層ADによって支持されることとなり、貫通孔Pとその底部及びこれに形成される絶縁膜Piの劣化・破損が抑制され、赤外線センサの特性が向上する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)