WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2005083149) SUBSTRAT REVÊTU DE PARTICULES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/083149    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/002316
Date de publication : 09.09.2005 Date de dépôt international : 16.02.2005
CIB :
C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : Konica Minolta Holdings, Inc. [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (Tous Sauf US).
KONDO, Yoshikazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KONDO, Yoshikazu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-051537 26.02.2004 JP
Titre (EN) PARTICLE DEPOSITED SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT REVÊTU DE PARTICULES
(JA) 微粒子付着基板
Abrégé : front page image
(EN)A particle deposited substrate can be manufactured by using an atmospheric plasma sputtering method, without using expensive vacuum equipment. Particles can be grown at a low temperature of 200°C or below, and the various nano-order particles of a metal or its oxide with controlled particle diameter, particle density, patterning and integration degree directly adhere by themselves even in a primary particle status with excellent adhesiveness without using an adhesive medium such as binder, filler, etc. in between.
(FR)Un substrat revêtu de particules peut être fabriqué en utilisant un procédé de pulvérisation de plasma atmosphérique, sans utiliser un équipement sous vide onéreux. Des particules peuvent se développer à une basse température de 200°C ou inférieure et les différentes particules à l'échelle nanométrique d'un métal ou son oxyde avec un diamètre de particule contrôlé, une densité de particule, un degré d'intégration et de structure adhérent directement par eux-mêmes même dans un statut primaire de particule avec une adhésion excellente sans utiliser un milieu adhésif tel qu'un, lien, une charge etc. entre à l'intérieur.
(JA)高価な真空設備を用いることなく、大気圧プラズマスパッタ法を用いることにより製造することが可能で、また200°C以下の低温においても粒子を成長させることができ、粒子径、粒子密度、パターニング、集積度がコントロールされたナノオーダーの金属またはその酸化物をはじめとする各種の微粒子自体が、バインダまたはフィラー等の接着媒体を介さずに、密着性良く、一次粒子の形態においても直接付着していることを特徴とする微粒子付着基板。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)