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1. (WO2005081933) PROCEDE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DE CONDUCTIVITE ELEVEE, FILMS MINCES ADHERENTS DE RUTHENIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/081933    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/005609
Date de publication : 09.09.2005 Date de dépôt international : 23.02.2005
CIB :
C23C 16/00 (2006.01), C23C 16/06 (2006.01)
Déposants : ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. [US/US]; Margaret Chappuis, 7 Commerce Drive, Danbury, CT 06810 (US) (Tous Sauf US).
HENDRIX, Bryan, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
WELCH, James, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
BILODEAU, Steven, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
ROEDER, Jeffrey, F. [US/US]; (US) (US Seulement).
XU, Chongying [US/US]; (US) (US Seulement).
BAUM, Thomas, H. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HENDRIX, Bryan, C.; (US).
WELCH, James, J.; (US).
BILODEAU, Steven, M.; (US).
ROEDER, Jeffrey, F.; (US).
XU, Chongying; (US).
BAUM, Thomas, H.; (US)
Mandataire : MARGARET CHAPPUIS; Advanced Technology Materials, Inc., 7 Commerce Drive, Danbury, CT 06810 (US)
Données relatives à la priorité :
60/546,801 23.02.2004 US
10/803,750 18.03.2004 US
Titre (EN) CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF HIGH CONDUCTIVITY, ADHERENT THIN FILMS OF RUTHENIUM
(FR) PROCEDE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DE CONDUCTIVITE ELEVEE, FILMS MINCES ADHERENTS DE RUTHENIUM
Abrégé : front page image
(EN)A multi-step method for depositing ruthenium thin films having high conductivity and superior adherence to the substrate is described. The method includes the deposition of a ruthenium nucleation layer followed by the deposition of a highly conductive ruthenium upper layer. Both layers are deposited using chemical vapor deposition (CVD) employing low deposition rates.
(FR)L'invention concerne un procédé à plusieurs étapes de dépôt de films minces de ruthénium possédant une conductivité élevée et une adhérence supérieure au substrat. Ce procédé comprend le dépôt d'une couche de nucléation de ruthénium, suivi par le dépôt d'une couche supérieure de ruthénium extrêmement conductrice. Les deux couches sont formées par dépôt, au moyen d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (procédé CVD) à faibles taux de dépôt.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)