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1. (WO2005081798) TRANSISTORS MEMOIRE EEPROM DOUBLE AVEC GRILLES FLOTTANTES EN GRADINS SOUS LA SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/081798    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/004030
Date de publication : 09.09.2005 Date de dépôt international : 10.02.2005
CIB :
H01L 27/108 (2006.01), G11C 11/22 (2006.01), G11C 11/34 (2006.01)
Déposants : ATMEL CORPORATION [US/US]; 2325 Orchard Parkway, San Jose, CA 95131 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : LOJEK, Bohumil; (US)
Mandataire : SCHNECK, Thomas; Schneck & Schneck, P. O. Box 2-E, San Jose, CA 95109-0005 (US)
Données relatives à la priorité :
10/785,160 23.02.2004 US
Titre (EN) TWIN EEPROM MEMORY TRANSISTORS WITH SUBSURFACE STEPPED FLOATING GATES
(FR) TRANSISTORS MEMOIRE EEPROM DOUBLE AVEC GRILLES FLOTTANTES EN GRADINS SOUS LA SURFACE
Abrégé : front page image
(EN)A memory array (10) with memory cells (13) arranged in rows and columns with each cell having twin EEPROMs (15, 115) featuring subsurface stepped (53, 54) floating gates for electric field concentration. The twin EEPROMs employ only a single layer of poly, one portion being a floating gate (82, 84) of each EEPROM and another portion being word lines (WL1, WL2). The twin EEPROMs share a common subsurface electrode (92) by having diffused control lines (62, 64) and a diffused bit line (BL1). The EEPROMs are symmetric across the common electrode.
(FR)L'invention concerne un réseau de mémoires (10) avec des cellules de mémoire (13) disposées en lignes et colonnes, chaque cellule possédant des EEPROM doubles (15, 115) munies de grilles flottantes destinées à la concentration des champs électriques. Les EEPROM doubles utilisent une couche unique de polysilicium, une partie se présentant comme une grille flottante (82, 84) de chaque EEPROM, et l'autre partie se présentant comme des lignes de mots (WL1, WL2). Les EEPROM doubles partages une électrode commune (92) sous la surface grâce à leurs lignes de commande diffusées (62, 64) et une ligne de bits diffusée (BL1). Les EEPROM sont symétriques sur l'électrode commune.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)