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1. (WO2005081769) MÉMOIRE FLASH SANS CONTACT AVEC EFFACEMENT DE CANAL ET PROGRAMME DE CANAL DE TYPE NON-OU SUR SOI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/081769    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/002655
Date de publication : 09.09.2005 Date de dépôt international : 01.02.2005
CIB :
H01L 29/788 (2006.01)
Déposants : WU, Koucheng [--/US]; (US)
Inventeurs : WU, Koucheng; (US)
Données relatives à la priorité :
10/781,112 18.02.2004 US
Titre (EN) NOR-TYPE CHANNEL-PROGRAM CHANNEL-ERASE CONTACTLESS FLASH MEMORY ON SOI
(FR) MÉMOIRE FLASH SANS CONTACT AVEC EFFACEMENT DE CANAL ET PROGRAMME DE CANAL DE TYPE NON-OU SUR SOI
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device having an electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) comprises a contactless array of EEPROM memory cells disposed in rows and columns and constructed over a silicon-on-insulator wafer. Each EEPROM memory cell comprises a drain region, a source region, a gate region, and a body region. The semiconductor device further comprises a plurality of gate lines (WL, Fig. 9) each connecting the gate regions of a row of EEPROM memory cells, a plurality of body lines (BL) each connecting the body regions of a column of EEPROM memory cells, a plurality of source lines (SL) each connecting the source regions of a column of EEPROM memory cells, and a plurality of drain lines (DL) each connecting the drain regions of a column of EEPROM memory cells. The source lines and the drain lines are buried lines, and the source regions and the drain regions of a column of EEPROM memory cells are insulated from the source regions and the drain regions of the adjacent columns of EEPROM memory cells.
(FR)Un dispositif semi-conducteur ayant une mémoire morte programmable effaçable électriquement (EEPROM) comprend une matrice sans contact de cellules mémoires EEPROM disposées en rangées et en colonnes et construites au-dessus d’une pastille silicium sur isolant. Cheque cellule mémoire EEPROM comporte une région de drain, une région source, une région porte et une région corps. Le dispositif semi-conducteur comprend en outre une pluralité de lignes de portes chacune connectant les régions portes d’une rangée de cellules mémoires EEPROM, une pluralité de lignes de corps chacune connectant les régions corps d’une colonne de cellules mémoires EEPROM, une pluralité de lignes sources chacune connectant les régions sources d’une colonne de cellules mémoires EEPROM, et une pluralité de lignes de drain chacune connectant les régions de drain d’une colonne de cellules mémoires EEPROM. Les lignes de sources et les lignes de drain sont des lignes enterrées, et les régions sources et les régions de drain d’une colonne de cellules mémoires EEPROM sont isolées des régions sources et des régions de drain des colonnes adjacentes de cellules mémoires EEPROM.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)