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1. (WO2005081329) STRUCTURE MULTICOUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSE A BASE DE NITRURE DE GALLIUM ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/081329    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/003428
Date de publication : 01.09.2005 Date de dépôt international : 23.02.2005
CIB :
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058518 (JP) (Tous Sauf US).
KOBAYAKAWA, Masato [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKEDA, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIKI, Hisayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKURAI, Tetsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOBAYAKAWA, Masato; (JP).
TAKEDA, Hitoshi; (JP).
MIKI, Hisayuki; (JP).
SAKURAI, Tetsuo; (JP)
Mandataire : AOKI, Atsushi; A. AOKI, ISHIDA & ASSOCIATES, Toranomon 37 Mori Bldg., 5-1, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1058423 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-048500 24.02.2004 JP
60/549,440 03.03.2004 US
Titre (EN) GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR MULTILAYER STRUCTURE AND PRODUCTION METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE MULTICOUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSE A BASE DE NITRURE DE GALLIUM ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CELLE-CI
Abrégé : front page image
(EN)An object of the present invention is to provide a gallium nitride compound semiconductor multilayer structure useful for producing a gallium nitride compound semiconductor light-emitting device which operates at low voltage while maintaining satisfactory light emission output. The inventive gallium nitride compound semiconductor multilayer structure comprises a substrate, and an n-type layer, a light-emitting layer, and a p-type layer formed on the substrate, the light-emitting layer having a multiple quantum well structure in which a well layer and a barrier layer are alternately stacked repeatedly, said light-emitting layer being sandwiched by the n-type layer and the p-type layer, wherein the well layer comprises a thick portion and a thin portion, and the barrier layer contains a dopant.
(FR)La présente invention porte sur une structure multicouche de semi-conducteur composé en nitrure de gallium servant à la production d'un dispositif électroluminescent à semi-conducteur composé en nitrure de gallium fonctionnant à basse tension tout en garantissant une sortie électroluminescente satisfaisante. La structure multicouche de semi-conducteur composé en nitrure de gallium faisant l'objet de cette invention comprend un substrat, et une couche de type n, une couche électroluminescente, et une couche de type p formée sur le substrat, la couche électroluminescente ayant une structure de puits quantiques multiples dans laquelle on empile de façon répétée une couche de puits et une couche barrière en alternance, ladite couche électroluminescente étant prise en sandwich par la couche de type n et la couche de type p, et la couche de puits comportant une partie épaisse et une partie mince, et la couche barrière contenant un dopant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)