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1. (WO2005081328) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR À BASE D’UN COMPOSÉ DE NITRURE DE GALLIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/081328    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/003255
Date de publication : 01.09.2005 Date de dépôt international : 22.02.2005
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 33/40 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (Tous Sauf US).
KAMEI, Koji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KAMEI, Koji; (JP)
Mandataire : AOKI, Atsushi; A. AOKI, ISHIDA & ASSOCIATES, Toranomon 37 Mori Bldg., 5-1, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1058423 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-048538 24.02.2004 JP
60/549,443 03.03.2004 US
Titre (EN) GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR À BASE D’UN COMPOSÉ DE NITRURE DE GALLIUM
Abrégé : front page image
(EN)An object of the present invention is to provide a gallium nitride compound semiconductor light-emitting device having a positive electrode that exhibits low contact resistance with a p-type gallium nitride compound semiconductor layer and that can be fabricated with high productivity. The inventive gallium nitride compound semiconductor light-emitting device includes a substrate, an n-type semiconductor layer, a light-emitting layer, a p-type semiconductor layer, a negative electrode provided in contact with the n-type semiconductor layer, and a positive electrode provided in contact with the p-type semiconductor layer, the layers being successively provided atop the substrate in this order and being composed of a gallium nitride compound semiconductor, wherein the positive electrode includes at least a contact metal layer which is in contact with the p-type semiconductor layer, the contact metal layer comprises at least one metal selected from the group consisting of Pt, Ir, Rh, Pd, Ru, Re, and Os, or an alloy containing said at least one metal, and the surface portion of the p-type semiconductor layer on the positive electrode side includes a positive-electrode-metal-containing layer that contains at least one metal selected from the group consisting of Pt, Ir, Rh, Pd, Ru, Re, and Os.
(FR)L’objectif de la présente invention est de proposer un dispositif électroluminescent semi-conducteur à base d’un composé de nitrure de gallium, disposant d’une électrode positive dotée d’une faible résistance de contact avec la couche semi-conductrice du composé de nitrure de gallium de type p, et pouvant être fabriqué avec une grande capacité de production. Ce nouveau dispositif électroluminescent à base d’un composé de nitrure de gallium comprend un substrat, une couche semi-conductrice de type n, une couche électroluminescente, une couche semi-conductrice de type p, une électrode négative mise en contact avec la couche semi-conductrice de type n, et une électrode positive mise en contact avec la couche semi-conductrice de type p, les couches étant successivement disposées au dessus du substrat dans cet ordre et étant composées d’un composé semi-conducteur à base de nitrure de gallium ; l'électrode positive inclut au moins une couche métallique de contact qui est en contact avec la couche semi-conductrice de type p, la couche métallique de contact comprend au moins un métal sélectionné dans un groupe comprenant les éléments Pt, Ir, Rh, Pd, Ru, Re, et Os, ou un alliage d’au moins un de ces métaux, et la surface de la couche semi-conductrice de type p du côté de l’électrode positive inclut une couche métallique contenant une électrode positive qui contient au moins un des métaux sélectionnés dans le groupe des éléments Pt, Ir, Rh, Pd, Ru, Re, et Os.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)