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1. (WO2005081323) DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEUR A TRANCHEES-GRILLES ET FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/081323    N° de la demande internationale :    PCT/IB2005/050595
Date de publication : 01.09.2005 Date de dépôt international : 17.02.2005
CIB :
H01L 21/331 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
HUANG, Eddie [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
GROVER, Raymond, J. [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : HUANG, Eddie; (GB).
GROVER, Raymond, J.; (GB)
Mandataire : WILLIAMSON, Paul, L.; c/o Philips Intellectual Property, & Standards, Cross Oak Lane, Redhill Surrey RH1 5HA (GB)
Données relatives à la priorité :
0403934.3 21.02.2004 GB
Titre (EN) TRENCH-GATE SEMICONDUCTOR DEVICES AND THE MANUFACTURE THEREOF
(FR) DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEUR A TRANCHEES-GRILLES ET FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A vertical trench-gate semiconductor device wherein the trench-gates extend in stripes, the source regions extend transversely between the trench­gates in stripes, projection (20) of the source stripes across the trench-gates defines intermediate trench portions (22) between the projected source stripes, and mutually spaced regions (14,14') of the second conductivity type are to provided immediately below the intermediate trench portions (22) which are connected to source potential. The spaced regions serve to selectively shield portions of the trench-gate from the drain region to suppress their contribution to Cgd and hence Qgd. In particular, they shield those portions of the trench­gate which do not contribute to the channel width of the device, without restricting the current path where a channel is formed.
(FR)Cette invention concerne un dispositif à semi-conducteur à tranchées-grilles verticales dans lequel les tranchées-grilles sont disposées en bande, les régions sources sont placées transversalement entre les bandes de tranchées-grilles, la partie saillante (20) des bandes sources au travers des tranchées-grilles définit des parties de tranchée intermédiaires (22) entre les bandes sources saillantes, et des régions espacées les unes des autres du type à seconde conductivité (14, 14') se trouvent immédiatement sous les parties de tranchées intermédiaires (22) qui sont connectées au potentiel source. Les régions espacées les unes des autres ont pour fonction de protéger sélectivement des parties de la tranchée-grille contre la région de drain en supprimant leur contribution à la capacité source-drain (Cgd) et donc à la capacité pendant commutation (Qgd). En particulier, lesdites régions protègent les parties de tranchée-grille qui ne participent pas à la largeur du dispositif, sans limiter le chemin du courant là où est formé un canal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)