WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2005081321) TRANSISTOR LDMOS HAUTE TENSION A STRUCTURE ISOLEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/081321    N° de la demande internationale :    PCT/CN2004/000731
Date de publication : 01.09.2005 Date de dépôt international : 02.07.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.08.2005    
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/772 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/94 (2006.01)
Déposants : SYSTEM GENERAL CORP. [CN/CN]; 3F., No. 1, Alley 8, Lane 45 Bao-Shing Road, Shin-Dian, Taipei Hsien 231 (TW) (Tous Sauf US).
HUANG, Chih-Feng [CN/CN]; (TW) (US Seulement).
YANG, Ta-yung [CN/CN]; (TW) (US Seulement).
LIN, Jenn-yu, G. [CN/CN]; (TW) (US Seulement).
CHIEN, Tuo-Hsin [CN/CN]; (TW) (US Seulement)
Inventeurs : HUANG, Chih-Feng; (TW).
YANG, Ta-yung; (TW).
LIN, Jenn-yu, G.; (TW).
CHIEN, Tuo-Hsin; (TW)
Mandataire : UNITALEN ATTORNEYS AT LAW; Wang, Xueqiang, 7th Floor, Scitech Place No.22, Jian Guo Men WaiAve., Chao Yang District, Beijing 100004 (CN)
Données relatives à la priorité :
10/786,703 24.02.2004 US
Titre (EN) HIGH VOLTAGE LDMOS TRANSISTOR HAVING AN ISOLATED STRUCTURE
(FR) TRANSISTOR LDMOS HAUTE TENSION A STRUCTURE ISOLEE
Abrégé : front page image
(EN)A high voltage LDMOS transistor according to the present invention includes a P-field and divided P-fields in an extended drain region of an N-well. The P-field and divided P-fields form junction-fields in the N-well, in which a drift region is fully depleted before breakdown occurs. Therefore, a higher breakdown voltage is achieved and a higher doping density of the N-well is allowed. Higher doping density can effectively reduce the on-resistance of the LDMOS transistor. Furthermore, the N-well generated beneath a source diffusion region provides a low-impedance path for a source region, which restrict the transistor current flow in between a drain region and a source region.
(FR)L'invention concerne un transistor LDMOS haute tension comprenant une zone P et des zones P séparées formées dans une zone drain agrandie d'un caisson N. La zone P et les zones P séparées forment des zones de jonction dans le caisson N, qui comprend une zone de migration qui subit un appauvrissement complet avant la survenue d'un claquage. Ce transistor présente par conséquent une tension de claquage plus élevée et permet ainsi d'élever la densité de dopage du caisson N. Cette densité de dopage plus élevée permet de réduire de manière efficace la résistance du transistor LDMOS à l'état passant. En outre le caisson N formé sous une zone de diffusion de source constitue une trajectoire à faible impédance pour une zone source, permettant de limiter la circulation du courant du transistor entre la zone drain et la zone source.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)