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1. (WO2005081320) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPOSE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/081320    N° de la demande internationale :    PCT/GB2005/000490
Date de publication : 01.09.2005 Date de dépôt international : 14.02.2005
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01)
Déposants : IQE SILICON COMPOUNDS LTD [GB/GB]; Beech House, Cypress Drive, St Mellons, Cardiff CF2 0LW (GB) (Tous Sauf US).
FISHER, Maurice, Howard [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
ROUMIGUIERES, Benoit, Alfred, Louis [FR/GB]; (GB) (US Seulement).
MORGAN, Aled, Owen [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : FISHER, Maurice, Howard; (GB).
ROUMIGUIERES, Benoit, Alfred, Louis; (GB).
MORGAN, Aled, Owen; (GB)
Mandataire : CAWDELL, Karen, Teresa; Urquhart-Dykes & Lord LLP, Three Trinity Court, 21-27 Newport Road, Cardiff CF24 0AA (GB)
Données relatives à la priorité :
0403190.2 13.02.2004 GB
Titre (EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPOSE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CELUI-CI
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device comprises an Si substrate (10) and a compound layer (11) of Si1-xGex disposed on the substrate (10). X is varied from 0 to 0.2 away from the substrate (10) towards the upper surface of the compound layer (11), with the rate of change of X increasing through the layer. The increasing rate of change of X significantly improves the defectivity levels and the surf ace roughness at the surf ace of layer (11).
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur qui comprend un substrat (10) de Si, et une couche composée (11) Si1-XGeX placée sur le substrat (10). X varie entre 0 et 0,2 depuis le substrat (10) en direction de la surface supérieure de la couche composée (11), le taux de variation de X étant croissant dans la couche. Le taux croissant de variation de X permet d'améliorer considérablement les taux de défectivité et la rugosité de surface de la couche (11).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)