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1. (WO2005081318) PLAQUE DE PROTECTION PERMETTANT DE LIMITER UN COUPLAGE PARASITE ENTRE DES GRILLES FLOTTANTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/081318    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/004157
Date de publication : 01.09.2005 Date de dépôt international : 09.02.2005
CIB :
H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : SANDISK CORPORATION [US/US]; 140 Caspian Court, Sunnyvale, CA 94089 (US) (Tous Sauf US).
MOKHLESI, Nima [US/US]; (US) (US Seulement).
LUTZE, Jeffrey, W. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MOKHLESI, Nima; (US).
LUTZE, Jeffrey, W.; (US)
Mandataire : VIERRA MAGEN MARCUS AND DENIRO LLP; 575 Market Street - Suite 2500, San Francisco, CA 94105-2871 (US)
Données relatives à la priorité :
10/778,634 13.02.2004 US
Titre (EN) SHIELD PLATE FOR LIMITING CROSS COUPLING BETWEEN FLOATING GATES
(FR) PLAQUE DE PROTECTION PERMETTANT DE LIMITER UN COUPLAGE PARASITE ENTRE DES GRILLES FLOTTANTES
Abrégé : front page image
(EN)A memory system is disclosed that includes a set of non-volatile storage elements. Each of said non-volatile storage elements includes source/drain regions at opposite sides of a channel in a substrate and a floating gate stack above the channel. The memory system also includes a set of shield plates positioned between adjacent floating gate stacks and electrically connected to the source/drain regions for reducing coupling between adjacent floating gates. The shield plates are selectively grown on the active areas of the memory without being grown on the inactive areas. In one embodiment, the shield plates are epitaxially grown silicon positioned above the source/drain regions.
(FR)La présente invention concerne un système de mémoire qui comprend des éléments de stockage non volatils. Chacun de ces éléments de stockage non volatils comprend des régions de source/drain aux côtés opposés d'un canal dans un substrat et un empilement de grilles flottantes situé au-dessus du canal. Le système de mémoire comprend également un ensemble de plaques de protection qui sont placées entre des empilements de grilles flottantes adjacentes et sont reliées électriquement aux régions de source/drain afin de réduire le couplage entre des grilles flottantes adjacentes. Ces plaques de protection font l'objet d'une croissance sélective sur les zones actives de la mémoire, mais pas sur les zones inactives. Dans un mode de réalisation, les plaques de protection sont constituées de silicium formé par croissance épitaxiale, qui est placé au-dessus des régions de source/drain.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)