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1. (WO2005081313) ENSEMBLE MICRO-ELECTRONIQUE A ELEMENTS THERMOELECTRIQUES PERMETTANT DE REFROIDIR UNE MATRICE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/081313    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/003440
Date de publication : 01.09.2005 Date de dépôt international : 02.02.2005
CIB :
H01L 23/38 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
RAMANATHAN, Shriram [IN/US]; (US) (US Seulement).
CHRYSLER, Gregory [US/US]; (US) (US Seulement).
TOWLE, Steven [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RAMANATHAN, Shriram; (US).
CHRYSLER, Gregory; (US).
TOWLE, Steven; (US)
Mandataire : VINCENT, Lester, J.,; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman, 12400 Wilshire Boulevard, 7th Floor, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
10/778,514 12.02.2004 US
Titre (EN) A MICROELECTRONIC ASSEMBLY HAVING THERMOELECTRIC ELEMENTS TO COOL A DIE AND A METHOD OF MAKING THE SAME
(FR) ENSEMBLE MICRO-ELECTRONIQUE A ELEMENTS THERMOELECTRIQUES PERMETTANT DE REFROIDIR UNE MATRICE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(EN)A microelectronic assembly is provided, having thermoelectric elements formed on a die so as to pump heat away from the die when current flows through the thermoelectric elements. In one embodiment, the thermoelectric elements are integrated between conductive interconnection elements on an active side of the die. In another embodiment, the thermoelectric elements are on a backside of the die and electrically connected to a carrier substrate on a front side of the die. In a further embodiment, the thermoelectric elements are formed on a secondary substrate and transferred to the die.
(FR)L'invention concerne un ensemble micro-électronique comprenant des éléments thermoélectriques formés sur une matrice afin de pomper la chaleur lorsqu'un courant électrique traverse lesdits éléments thermoélectriques. Dans un mode de réalisation, les éléments thermoélectriques sont intégrés entre des éléments d'interconnexion conducteurs disposés sur un côté actif de la matrice. Dans un autre mode de réalisation, les éléments thermoélectriques sont disposés sur le dos de la matrice et sont connectés électriquement à un substrat de support sur une face frontale de la matrice. Dans un dernier mode de réalisation, les éléments thermoélectriques sont formés sur un substrat secondaire et transférés sur la matrice.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)