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1. (WO2005081311) DISPOSITIF DE CIRCUIT ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/081311    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/003096
Date de publication : 01.09.2005 Date de dépôt international : 18.02.2005
CIB :
H05K 1/02 (2006.01), H05K 1/05 (2006.01), H05K 3/06 (2006.01), H05K 3/28 (2006.01)
Déposants : SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 5-5, Keihanhondori 2-chome Moriguchi-shi, Osaka 570-8677 (JP) (Tous Sauf US).
IGARASHI, Yusuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAKUSAKI, Sadamichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NEZU, Motoichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUSABE, Takaya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IGARASHI, Yusuke; (JP).
TAKAKUSAKI, Sadamichi; (JP).
NEZU, Motoichi; (JP).
KUSABE, Takaya; (JP)
Mandataire : OKADA, Kei; 170-1, Hosoya-cho Ota-shi, Gunma 373-0842 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-048259 24.02.2004 JP
Titre (EN) CIRCUIT DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF DE CIRCUIT ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 回路装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A hybrid integrated circuit device and a manufacturing method thereof, by which a fine pattern can be formed while maintaining a current capacity. The hybrid integrated circuit device (10) is provided with a conductive pattern (18) formed on a front plane of a circuit board (16), and a circuit element (14) which is electrically connected with the conductive pattern (18). The conductive pattern (18) is composed of a first conductive pattern (18A) and a second conductive pattern (18B) which is formed thicker than the first conductive pattern. The second conductive pattern (18B) is provided with a protruding part (22) which protrudes in a thick ness direction of the pattern.
(FR)Dispositif de circuit intégré hybride et procédé de fabrication de celui-ci, par lequel on peut former un motif fin tout en maintenant une capacité de densité de courant. Le dispositif de circuit intégré hybride (10) est pourvu d'un motif conducteur (18) formé sur un plan de devant d'une plaque à circuit intégré (16) et un élément de circuit (14) qui est électriquement connecté au motif conducteur (18). Le motif conducteur (18) est composé d'un premier motif conducteur (18A) et d'un second motif conducteur (18B) qui est formé en plus épais que le premier motif conducteur. Le second motif conducteur (18B) est pourvu d'une partie saillante (22) qui s'avance dans une direction de l'épaisseur du motif.
(JA)電流容量を確保しつつ微細なパターンが形成可能な混成集積回路装置およびの製造方法を提供する。本発明の混成集積回路装置10は、回路基板16の表面に形成された導電パターン18と、導電パターン18と電気的に接続された回路素子14とを具備し、導電パターン18は、第1の導電パターン18Aと、第1の導電パターンよりも厚く形成された第2の導電パターン18Bとから成る。そして、第2の導電パターン18Bは、パターンの厚み方向に対して突出する凸部22が設けられている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)