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1. (WO2005081307) PROCEDE DE FABRICATION D'UN COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR ET CARTE A CIRCUIT INTEGRE (CI), ETIQUETTE DE CIRCUIT INTEGRE, IDENTIFICATEUR DE TYPE RFID, REPONDEUR, FACTURE, TITRES, PASSEPORT, APPAREIL ELECTRONIQUE, SAC ET VETEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/081307    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/002680
Date de publication : 01.09.2005 Date de dépôt international : 15.02.2005
CIB :
G06K 19/07 (2006.01), G06K 19/077 (2006.01), G06K 19/10 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/10 (2006.01), H01L 27/112 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (Tous Sauf US).
KOYAMA, Jun [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOYAMA, Jun; (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-045480 20.02.2004 JP
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND IC CARD, IC TAG, RFID, TRANSPONDER, BILL, SECURITIES, PASSPORT, ELECTRONIC APPARATUS, BAG, AND GARMENT
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR ET CARTE A CIRCUIT INTEGRE (CI), ETIQUETTE DE CIRCUIT INTEGRE, IDENTIFICATEUR DE TYPE RFID, REPONDEUR, FACTURE, TITRES, PASSEPORT, APPAREIL ELECTRONIQUE, SAC ET VETEMENT
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a manufacturing method of a semiconductor device used as an ID chip, by which data can be written with improved throughput. According to the manufacturing method of a semiconductor device having a modulation circuit, a demodulation circuit, a logic circuit, a memory circuit, and an antenna circuit over an insulating substrate, the memory circuit is a nonvolatile memory circuit of which data is written in the manufacture of the semiconductor device, and elements in a data portion are formed by electron beam exposure or laser exposure while the other portions are formed by mirror projection exposure, step and repeat exposure, or step and scan exposure.
(FR)La présente invention fournit un procédé de fabrication d'un composant à semi-conducteur utilisé en tant que puce d'identification ID par lequel des données peuvent être écrites avec un débit amélioré. Conformément au procédé de fabrication d'un composant à semi-conducteur comportant un circuit de modulation, un circuit de démodulation, un circuit logique, un circuit de mémoire et un circuit d'antenne sur un substrat isolant, le circuit de mémoire est un circuit de mémoire non volatile dont des données sont écrites pendant la fabrication du composant à semi-conducteur, et des éléments dans une partie de données sont formés par exposition à un faisceau d'électrons ou exposition laser alors que les autres parties sont formées par exposition par projection par miroir, par exposition par reproduction pas à pas, ou par exposition par numérisation pas à pas.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)