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1. (WO2005081287) MISE EN CORRESPONDANCE DE DOSE ET D'ENERGIE D'IMPLANTEURS IONIQUES MULTIPLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/081287    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/003441
Date de publication : 01.09.2005 Date de dépôt international : 02.02.2005
CIB :
H01J 37/304 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; Legal Affairs Dept., Patent Counsel, MS/2061, P.O. Box 450A, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : BORDEN, Peter, G.; (US)
Mandataire : SURYADEVARA, Omkar; Silicon Valley Patent Group LLP, 2350 Mission College Blvd., Suite 360, Santa Clara, CA 95054 (US)
Données relatives à la priorité :
10/779,072 13.02.2004 US
Titre (EN) MATCHING DOSE AND ENERGY OF MULTIPLE ION IMPLANTERS
(FR) MISE EN CORRESPONDANCE DE DOSE ET D'ENERGIE D'IMPLANTEURS IONIQUES MULTIPLES
Abrégé : front page image
(EN)A method that is sensitive to lattice damage (also called 'primary method') is combined with an additional method that independently measures one of two parameters to which the primary method is sensitive namely dose and energy. In some embodiments, the additional method is sensitive to dose, and in two such embodiments 4PP and SIMS are respectively used to measure dose (independent s of energy). In other embodiments, the additional method is sensitive to energy, and in one such embodiment SIMS is used to measure energy (independent of dose). Use of such an additional method resolves an ambiguity in a prior art measurement by the primary method alone. The two methods are used in combination in some embodiments, to determine adjustments needed to match two or more ion implanters to one another or to a reference ion implanter or to a computer model.
(FR)L'invention concerne un procédé sensible à un défaut de réseau (également appelé procédé primaire ') combiné à un procédé supplémentaire qui permet de mesurer de manière indépendante l'un des deux paramètres auquel le procédé primaire est sensible, essentiellement une dose et une énergie. Dans certains modes de réalisation, le procédé supplémentaire est sensible à une dose, et dans deux de ces modes de réalisation, on utilise respectivement 4PP et SIMS pour mesurer une dose (indépendante de l'énergie). Dans d'autres modes de réalisation, le procédé supplémentaire est sensible à l'énergie, et dans l'un de ces modes de réalisation, on utilise SIMS pour mesurer l'énergie (indépendante d'une dose). L'utilisation seule de ce procédé supplémentaire permet de résoudre une ambiguïté dans une mesure de l'état de la technique. Les deux procédés sont utilisés en combinaison dans certains modes de réalisation afin de déterminer les règlements nécessaires pour établir une correspondance entre deux implanteurs ioniques ou plus et un autre implanteur ou un implanteur ionique de référence ou un modèle informatique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)