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1. (WO2005081265) LIQUIDE DE DISPERSION POUR LA FORMATION DE FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT ET D’ÉLECTRODE TRANSPARENTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/081265    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/003009
Date de publication : 01.09.2005 Date de dépôt international : 24.02.2005
CIB :
C01G 15/00 (2006.01), C01G 19/00 (2006.01), C01G 30/00 (2006.01)
Déposants : ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (Tous Sauf US).
JEMCO Inc. [JP/JP]; 1-6, Barajima 3-chome, Akita-shi, Akita 0108585 (JP) (Tous Sauf US).
Ukishima, Sadayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
Takei, Hideo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
Ishibashi, Satoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
Atsuki, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
Oda, Masaaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
Yamaguchi, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
Hayashi, Toshiharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
Kiyoshima, Reiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
Shiraishi, Shinya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : Ukishima, Sadayuki; (JP).
Takei, Hideo; (JP).
Ishibashi, Satoru; (JP).
Atsuki, Tsutomu; (JP).
Oda, Masaaki; (JP).
Yamaguchi, Hiroshi; (JP).
Hayashi, Toshiharu; (JP).
Kiyoshima, Reiko; (JP).
Shiraishi, Shinya; (JP)
Mandataire : Exeo Patent & Trademark Company; 6th Fl., Daishin Bldg., 2-6-2 Ebisunishi Shibuya-ku, Tokyo 1500021 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-047342 24.02.2004 JP
Titre (EN) DISPERSION LIQUID FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, METHOD FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND TRANSPARENT ELECTRODE
(FR) LIQUIDE DE DISPERSION POUR LA FORMATION DE FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT ET D’ÉLECTRODE TRANSPARENTE
(JA) 透明導電膜形成用分散液、透明導電膜の形成方法及び透明電極
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a dispersion liquid for forming a transparent conductive film wherein metal particles of In, Sn, Sb, Al or Zn, particles of an alloy of such metals or a mixture of these particles, and particles of ITO, IZO, ATO or AZO are dispersed in an organic solvent. A transparent conductive film having low resistance and high transmittance is formed by applying this dispersion liquid to a base and then firing it at a low temperature in a vacuum atmosphere, inert gas atmosphere, reducing gas atmosphere, oxidizing gas atmosphere, air atmosphere. The inert gas atmosphere is a gaseous atmosphere of a rare gas, carbon dioxide or nitrogen; the reducing gas atmosphere is a gaseous atmosphere of hydrogen, carbon monoxide or a lower alcohol; and the oxidizing gas atmosphere is an oxygen-containing gaseous atmosphere. Also disclosed is a transparent electrode composed of such a transparent conductive film.
(FR)Il est prévu un liquide de dispersion pour la formation d’un film conducteur transparent dans lequel des particules de métal In, Sn, Sb, Al ou Zn, des particules d’un alliage de tels métaux ou un mélange de ces particules, et des particules ITO, IZO, ATO ou AZO sont dispersés dans un solvant organique. Un film conducteur transparent de faible résistance et de forte transmittance est formé par application de ce liquide de dispersion à une base et par cuisson à basse température dans une atmosphère de vide, une atmosphère de gaz inerte, une atmosphère de gaz de réduction, une atmosphère de gaz oxydant, une atmosphère d’oxygène. L’atmosphère de gaz inerte est une atmosphère gazeuse de gaz rare, de dioxyde de carbone ou d’azote ; l’atmosphère de gaz de réduction est une atmosphère gazeuse d’hydrogène, de monoxyde de carbone ou d’alcool faible et l'atmosphère de gaz oxydant est une atmosphère gazeuse contenant de l’oxygène. Il est également prévu une électrode transparente composée d’un tel film conducteur transparent.
(JA)In、Sn、Sb、Al、Znの金属微粒子、これらの金属からなる合金微粒子、又はこれらの微粒子の混合物と、ITO、IZO、AZO、AZOの微粒子とが有機溶媒中に分散されてなる透明導電膜形成用分散液である。この分散液を塗布後、真空雰囲気、不活性ガス雰囲気、還元性ガス雰囲気、酸化性ガス雰囲気、大気雰囲気中で低温焼成して低抵抗かつ高透過率を有する透明導電膜を形成する。不活性ガス雰囲気が、希ガス、二酸化炭素、窒素のガス雰囲気であり、還元性ガス雰囲気が、水素、一酸化炭素、低級アルコールのガス雰囲気であり、酸化性ガス雰囲気が酸素元素含有ガス雰囲気である。上記透明導電膜からなる透明電極である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)