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1. (WO2005081059) PROCEDE POUR REALISER DES MASQUES DE PHOTOLITHOGRAPHIE ET UTILISATION DE CES MASQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/081059    N° de la demande internationale :    PCT/CH2005/000107
Date de publication : 01.09.2005 Date de dépôt international : 23.02.2005
CIB :
G03F 1/14 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : OC OERLIKON BALZERS AG [LI/LI]; FL-9496 Balzers (LI) (Tous Sauf US).
WIKI, Max [CH/CH]; (CH) (US Seulement).
LANKER, Michael [CH/CH]; (CH) (US Seulement)
Inventeurs : WIKI, Max; (CH).
LANKER, Michael; (CH)
Représentant
commun :
OC OERLIKON BALZERS AG; Patentabteilung SRLP, P.O. Box 1000, FL-9496 Balzers (LI)
Données relatives à la priorité :
60/547,694 25.02.2004 US
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MASKEN FÜR PHOTOLITHOGRAPHIE UND VERWENDUNG SOLCHER MASKEN
(EN) METHOD FOR THE PRODUCTION OF MASKS USED IN PHOTOLITHOGRAPHY, AND USE OF SUCH MASKS
(FR) PROCEDE POUR REALISER DES MASQUES DE PHOTOLITHOGRAPHIE ET UTILISATION DE CES MASQUES
Abrégé : front page image
(DE)Eine Maske für Photolithographieverfahren weist opake und transparente Bereiche sowie eine Oberflächenstruktur auf. Für den Kontakt mit einem zu belichtenden Substrat (10) sind zumindest einige opake Bereiche als formschlüssig aufliegende Bereiche ausgebildet und zumindest einige transparente Bereiche sind beabstandet und bis zu einer Strukturtiefe tiefgeätzt. In einer Weiterbildung ist mindestens ein transparenter Bereich als formschlüssig aufliegender Bereich (12) ausgebildet. Die Strukturtiefe in tiefgeätzten Bereichen ist grösser als die Dicke der Oberflächenstruktur, jedenfalls grösser oder gleich 1 µm.
(EN)Disclosed is a mask for photolithographic processes, comprising opaque and transparent zones and a surface structure. At least some opaque zones are embodied as positively resting zones while at least some transparent zones are spaced apart and are deep-etched down to a certain structural depth in order to establish contact with a substrate (10) that is to be exposed. In a further developed embodiment, at least one transparent zone is configured as a positively resting zone (12). The structural depth in deep-etched zones is greater than the thickness of the surface structure while being greater than or equal to 1 µm.
(FR)L'invention concerne un masque de photolithographie comportant des zones opaques et transparentes ainsi qu'une structure superficielle. Au moins quelques zones opaques sont des zones constituées par liaison de forme et au moins quelques zones transparentes sont espacées et gravées en creux jusqu'à une profondeur de structure donnée pour établir le contact avec un support (10) à exposer. Dans un autre mode de réalisation, au moins une zone transparente est une zone (12) constituée par liaison de forme. La profondeur de structure dans les zones gravées en creux est supérieure à l'épaisseur de la structure superficielle, en tous les cas supérieure ou égale à 1 µm.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)