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1. (WO2005080627) FORMATION DE FILMS PHOTOCONDUCTEURS ET PHOTOVOLTAIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/080627    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/005063
Date de publication : 01.09.2005 Date de dépôt international : 17.02.2005
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), C23C 16/00 (2006.01)
Déposants : ENGLE, George, M. [US/US]; (US)
Inventeurs : ENGLE, George, M.; (US)
Mandataire : GOLTRY, Michael, W.; 4000 N Central Ave, Ste 1220, Phoenix, AZ 85012 (US)
Données relatives à la priorité :
60/545,249 17.02.2004 US
Titre (EN) FORMATION OF PHOTOCONDUCTIVE AND PHOTOVOLTAIC FILMS
(FR) FORMATION DE FILMS PHOTOCONDUCTEURS ET PHOTOVOLTAIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A deposition system (10) includes a vacuum reaction chamber (11) with a substrate holder (23) positioned in it. The substrate holder (23) is for carrying a substrate (24) therein. A sputtering apparatus (21) is also positioned in the vacuum reaction chamber. The sputtering apparatus (21) is configured to direct sputtered material towards the substrate (24) to form a sputtered material region thereon. A plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) apparatus is positioned in the vacuum reaction chamber (11). The PECVD apparatus is configured to deposit a PECVD material region thereon the substrate (24). The first PECVD apparatus includes a first PECVD electrode (27) movable from a first position towards the substrate (24) and a second position away (103) from the substrate.
(FR)L'invention porte sur un système de dépôt (10) comprenant une chambre de réaction à vide (11) pourvue d'un support de substrat (23) placé dans la chambre. Ce support de substrat (23) sert à porter un substrat (24). Un appareil de pulvérisation (21) est également disposé dans la chambre de réaction à vide. L'appareil de pulvérisation (21) est configuré pour orienter le matériau pulvérisé vers le substrat (24) afin de former une zone de matériau pulvérisée dessus. Un appareil de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma (PECVD) est placé dans la chambre de réaction à vide (11). L'appareil PECVD est configuré pour déposer une zone de matériau PECVD sur le substrat (24). Le premier appareil PECVD comprend une première électrode PECVD (27) qui peut bouger entre une première position orientée vers un substrat (24) et une seconde position éloignée (103) d'un substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)