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1. (WO2005080473) COMPOSÉ POLYMÈRE, COMPOSITION PHOTORÉSISTANTE CONTENANT UN TEL COMPOSÉ POLYMÈRE, ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE STRUCTURE RÉSISTANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/080473    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/001228
Date de publication : 01.09.2005 Date de dépôt international : 28.01.2005
CIB :
C08G 85/00 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012 (JP) (Tous Sauf US).
OGATA, Toshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUMARU, Syogo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KINOSHITA, Yohei [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HADA, Hideo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIONO, Daiju [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIMIZU, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUBOTA, Naotaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OGATA, Toshiyuki; (JP).
MATSUMARU, Syogo; (JP).
KINOSHITA, Yohei; (JP).
HADA, Hideo; (JP).
SHIONO, Daiju; (JP).
SHIMIZU, Hiroaki; (JP).
KUBOTA, Naotaka; (JP)
Mandataire : TANAI, Sumio; 2-3-1, Yaesu Chuo-ku, Tokyo 1048453 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-045522 20.02.2004 JP
2004-134585 28.04.2004 JP
2004-179475 17.06.2004 JP
2004-252474 31.08.2004 JP
2004-316960 29.10.2004 JP
Titre (EN) POLYMER COMPOUND, PHOTORESIST COMPOSITION CONTAINING SUCH POLYMER COMPOUND, AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
(FR) COMPOSÉ POLYMÈRE, COMPOSITION PHOTORÉSISTANTE CONTENANT UN TEL COMPOSÉ POLYMÈRE, ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE STRUCTURE RÉSISTANTE
(JA) 高分子化合物、該高分子化合物を含有するフォトレジスト組成物、およびレジストパターン形成方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a polymer compound which enables to obtain a highly sensitive photoresist composition which forms a fine pattern with excellent resolution and good rectangular shape and is capable of obtaining good resist characteristics even when the acid generated by an acid generator is weak. Also disclosed are a photoresist composition using such a polymer compound and a method for forming a resist pattern using such a photoresist composition. The photoresist composition and resist pattern-forming method use a polymer compound having an alkali-soluble group (i) which is at least one substituent selected from an alcoholic hydroxyl group, a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group and protected by an acid-cleavable dissolution inhibiting group (ii) represented by the following general formula (1): (1) (wherein R1 represents an alicyclic group having 20 or less carbon atoms which may have an oxygen, nitrogen, sulfur or halogen atom; and n represents 0 or an integer of 1-5).
(FR)Nous décrivons un composé polymère qui permet d'obtenir une composition photorésistante hautement sensible qui forme une structure fine avec une excellente résolution et une belle forme rectangulaire et est susceptible d'obtenir de bonnes caractéristiques de résistance même quand l'acide généré par un générateur d'acide est faible. Nous décrivons également une composition photorésistante utilisant un tel composé polymère et un procédé de formation d'une structure résistante utilisant une telle composition photorésistante. La composition photorésistante et le procédé de formation d'une structure résistante utilisent un composé polymère comportant un groupe soluble en milieu alcalin (i) qui est au moins un substituant choisi parmi un groupe hydroxyle alcoolique, un groupe carboxyle et un groupe hydroxyle phénolique et protégé par un groupe inhibant la dissolution clivable en milieu acide (ii) représenté par la formule générale (1) suivante : (1) (dans laquelle R1 représente un groupe alicyclique comportant 20 atomes de carbone ou moins qui peuvent porter un atome d'oxygène, d'azote, de soufre ou d'halogène ; et n représente 0 ou un entier de 1 à 5).
(JA) 優れた解像性を有し、矩形性が良好な微細パターンを形成できるとともに、酸発生剤から発生する酸が弱い場合も良好なレジスト特性が得られ、感度も良好なフォトレジスト組成物を構成できる高分子化合物、該高分子化合物を用いたフォトレジスト組成物、および該フォトレジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法が提供される。これらフォトレジスト組成物、およびレジストパターン形成方法は、アルカリ可溶性基(i)を有し、このアルカリ可溶性基(i)がアルコール性水酸基、カルボキシル基、およびフェノール性水酸基から選択される少なくとも1種の置換基であり、これらの基が、下記一般式(1) 【化1】 (式中、Rは酸素、窒素、硫黄、又はハロゲン原子を有してもよい炭素数20以下の脂肪族環式基であり、nは0または1~5の整数を表す。)で示される酸解離性溶解抑止基(ii)で保護されている高分子化合物を用いる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)