WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2005079476) PROCEDE DE GRAVURE AU PLASMA POUR MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/079476    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/005138
Date de publication : 01.09.2005 Date de dépôt international : 17.02.2005
CIB :
B44C 1/22 (2006.01), C03C 15/00 (2006.01), C03C 25/68 (2006.01), C23F 1/00 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/461 (2006.01)
Déposants : NORTHROP GRUMMAN CORPORATION [US/US]; 1840 Century Park East, Los Angeles, California 90067-2199 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : WANG, Jennifer; (US)
Mandataire : LARIVIERE, GRUBMAN & PAYNE, LLP; May Lin DeHaan, 19 Upper Ragsdale Drive, Suite 200, P.O. Box 3140, Monterey, California 93942-3140 (US)
Données relatives à la priorité :
10/782,538 18.02.2004 US
Titre (EN) METHOD OF DRY PLASMA ETCHING SEMICONDUCTOR MATERIALS
(FR) PROCEDE DE GRAVURE AU PLASMA POUR MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A method of dry plasma etching a semiconductor structure (20), having at least one semiconductor material layer (21), on a semiconductor wafer (200), involving a dry plasma reaction gas mixture (30i) being chemically selected for, and having an etch rate corresponding to, each semiconductor material layer (21); dividing the semiconductor structure (20) into a masked portion (23a) and an unmasked portion (23b); and sequentially exposing the unmasked portion (23b) of the semiconductor structure (20) to the dry plasma reaction gas mixture (30i).
(FR)La présente invention concerne un procédé de gravure au plasma pour une structure semi-conductrice (20), avec au moins une couche de matière semi-conductrice (21) sur une plaquette à semi-conducteurs (200). On choisit à cet effet un mélange de gaz (30i) de réaction d'attaque au plasma pour chaque couche de matière semi-conductrice (21), ce mélange étant caractérisé par un coefficient approprié d'érosion au plasma. On divise la structure de semi-conducteurs (20) en une zone masquée (23a) et une zone apparente (23b). On expose ensuite séquentiellement la partie apparente (23b) de la structure semi-conductrice (20) au mélange de gaz (30i) de réaction pour gravure au plasma.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)