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1. (WO2005079472) PROCEDE DE GRAVURE A SEC POUR COMPOSES SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/079472    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/005123
Date de publication : 01.09.2005 Date de dépôt international : 17.02.2005
CIB :
H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : NORTHROP GRUMMAN CORPORATION [US/US]; 1840 Century Park East, Los Angeles, CA 90067-2199 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : WANG, Jennifer; (US).
SHENG, Huai-Min; (US).
BARSKY, Mike; (US)
Mandataire : LARIVIERE, GRUBMAN & PAYNE, LLP; May Lin Dehaan, 19 Upper Ragsdale Drive, Suite 200, P.O. Box 3140, Monterey, CA 93942-3140 (US)
Données relatives à la priorité :
10/782,723 18.02.2004 US
Titre (EN) DRY ETCHING PROCESS FOR COMPOUND SEMICONDUCTORS
(FR) PROCEDE DE GRAVURE A SEC POUR COMPOSES SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)Accordingly, this invention relates to an dry etching process for semiconductor wafers. More particularly, the present invention discloses a dry etching process including a halogen etchant (24) and a nitrogen gas (28) that selectively etches a compound semiconductor material (18) faster than the front-side metal layers (16A)(16B). Further, the dry etching process produces a vertical wall profile on compound semiconductor material (18) in both X (38) and Y (40) crystalline directions without undercutting the top of a via-opening.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de gravure à sec pour des tranche semi-conductrices. Plus spécifiquement, la présente invention a trait à un procédé de gravure à sec comportant un agent de gravure à base d'halogène (24) et un gaz d'azote (28) qui assure la gravure sélective de matériau de composé semi-conducteur (18) plus rapidement que des couches de métaux avant (16A)(16B). En outre, le procédé de gravure à sec produit un profil de paroi verticale sur le matériau de composé semi-conducteur (18) en des directions cristallines en X (38) ainsi qu'en Y (40) sans attaque de la partie supérieure d'une ouverture de trou d'interconnexion.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)