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1. (WO2005079454) PROCEDE DE GRAVURE DE LIAISON D'UN POLYMERE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/079454    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/005040
Date de publication : 01.09.2005 Date de dépôt international : 16.02.2005
CIB :
H01L 21/311 (2006.01)
Déposants : NORTHROP GRUMMAN CORPORATION [US/US]; 1840 Century Park East, Los Angeles, CA 90067-2199 (US)
Inventeurs : WANG, Jennifer; (US).
BARSKY, Mike; (US)
Mandataire : LARIVIERE, GRUBMAN & PAYNE, LLP; May Lin DeHaan, 19 Upper Ragsdale Drive, Suite 200, P.O. Box 3140, Monterey, CA 93942-3140 (US)
Données relatives à la priorité :
10/781,353 17.02.2004 US
Titre (EN) POLYMER VIA ETCHING PROCESS
(FR) PROCEDE DE GRAVURE DE LIAISON D'UN POLYMERE
Abrégé : front page image
(EN)An improved etching process for creating dimensionally accurate sub-micron and micron via-openings is disclosed. Specifically, this invention discloses a via etching process for a polymer layer (24) deposited on a semiconductor substrate (28) comprising the steps of: placing the semiconductor substrate comprising a polymer layer (24) deposited on the semiconductor substrate, a hard-mask (30) deposited on the polymer layer (24) and a photoresist mask (32) deposited on the hard-mask (30). The invention further, discloses performing a hard-mask opening step (34) comprising releasing a first fluoride gas (36) into the chamber. Furthermore, performing a polymer etching step (40) comprising releasing a second fluoride gas (42) into the chamber is disclosed. The invention also includes a hard-mask removal and tapered via step (46) to increase process margin.
(FR)L'invention concerne un procédé de gravure améliorée permettant de créer des orifices d'interconnexion de la taille du micron et du submicron appropriée en dimensions. De manière spécifique, l'invention concerne un procédé de gravure de liaison pour une couche polymère (24) déposée sur un substrat à semi-conducteurs (28), ledit procédé comprenant les étapes suivantes : mise en place du substrat à semi-conducteurs comprenant une couche polymère (24) déposée sur le substrat à semi-conducteur ; un masque dur (30) déposé sur la couche polymère (24) et un masque de photogravure (32) déposé sur le masque dur (30). L'invention concerne, de plus, l'étape (34) de réalisation de l'orifice du masque dur comprenant la libération d'un premier gaz de fluorure (36) dans la chambre ; l'étape (40) de réalisation de la gravure du polymère comprenant la libération d'un second gaz de fluorure (42) dans la chambre. L'invention concerne également l'élimination du masque dur et une étape (46) de liaison diminuée, ce qui permet d'augmenter la marge du procédé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)