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1. (WO2005079395) INTEGRATION D'AMPLIFICATEURS DOPES AUX TERRES RARES A DES STRUCTURES DE SEMI-CONDUCTEURS, ET LEURS UTILISATIONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/079395    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/004703
Date de publication : 01.09.2005 Date de dépôt international : 11.02.2005
CIB :
H01S 3/00 (2006.01), H01S 5/00 (2006.01)
Déposants : TANG, Yin [CN/US]; (US)
Inventeurs : TANG, Yin; (US)
Mandataire : GIMLAN, Gideon; 1762 Technology Drive, Suite 226, San Jose, CA 95110 (US)
Données relatives à la priorité :
10/778,737 13.02.2004 US
Titre (EN) INTEGRATION OF RARE-EARTH DOPED AMPLIFIERS INTO SEMICONDUCTOR STRUCTURES
(FR) INTEGRATION D'AMPLIFICATEURS DOPES AUX TERRES RARES A DES STRUCTURES DE SEMI-CONDUCTEURS, ET LEURS UTILISATIONS
Abrégé : front page image
(EN)An integrated device is disclosed which has a substrate and a Rare-Earth Doped Semiconductor layer (REDS layer) integrated with the substrate. The REDS layer is patterned to define one or more optically amplifying structures each having a first I/O port for receiving or outputting a first optical signal, and at least one pump energy receiving port for receiving pumping energy in the form of at least one of electrical pump energy and/or optical pump energy. In one particular set of embodiments, at least one of the optical amplifying structures is a Raman type amplifier where a corresponding pump energy receiving port is structured for receiving Raman type pumping energy having an effective frequency which is about one optical phonon frequency higher than a signal frequency of an optical signal supplied at a corresponding I/O port. Methods are disclosed for fabricating Rare-Earth Doped Semiconductor layers, including providing such layers in semiconductor-on-insulator (SOI) structures and for enhancing the effective, long-term concentrations of incorporated, rare earth atoms. Additionally, non-parallel pumping techniques are disclosed.
(FR)L'invention porte sur un dispositif intégré comportant un substrat et une couche de semi-conducteur dopée par une terre rare (couche REDS). La couche REDS est dessinée de manière à obtenir: une ou plusieurs structures d'amplification optique présentant chacune un premier port d'E/S de réception ou d'émission d'un premier signal optique; et au moins un port recevant l'énergie de pompage sous la forme d'au moins une énergie de pompage électrique et/ou optique. Dans un ensemble particulier de réalisations, l'une au moins des structures amplificatrice est un amplificateur de type Raman dont le port recevant l'énergie correspondante de pompage est structuré pour recevoir une énergie de pompage de type Raman dont la fréquence efficace est plus haute d'environ celle d'un photon optique que celle du signal optique reçu par le port d'E/S correspondant. L'invention porte également sur des procédés: de fabrication de couches REDS consistant à les intégrer à des structures SOI (semi-conducteur sur isolant); et d'accroissement de la concentration effective à long terme des atomes de terres rares incorporés. L'invention porte également sur des techniques de pompage non parallèle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)