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1. (WO2005079366) DRAIN VERTICAL ET COMMUN DE TRANSISTORS COMPLEMENTAIRES AU NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/079366    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/004610
Date de publication : 01.09.2005 Date de dépôt international : 14.02.2005
CIB :
H01L 29/76 (2006.01), H01L 29/94 (2006.01), H01L 31/062 (2006.01), H01L 31/113 (2006.01), H01L 31/119 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION [US/US]; 233 Kansas Street, El Segundo, California 90245 (US) (Tous Sauf US).
BEACH, Robert [US/US]; (US) (US Seulement).
BRIDGER, Paul [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BEACH, Robert; (US).
BRIDGER, Paul; (US)
Mandataire : WEINER, Samuel, H.; Ostrolenk, Faber, Gerb & Soffen, LLP, 1180 Avenue of the Americas, New York, New York 10036 (US)
Données relatives à la priorité :
60/544,629 12.02.2004 US
11/056,689 11.02.2005 US
Titre (EN) COMPLIMENTARY NITRIDE TRANSISTORS VERTICAL AND COMMON DRAIN
(FR) DRAIN VERTICAL ET COMMUN DE TRANSISTORS COMPLEMENTAIRES AU NITRURE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device and a method for manufacturing the device are disclosed in which the semiconductor device includes ohmic contacts (28,46) on different planes and the method for manufacturing the device includes etching a semiconductor stack of different conductivity semiconductor layers in successive steps to create a first opening(16)of a first width in a first semiconductor layer(44) to expose another semiconductor layer, and then a second opening of a narrower width in the another layer, whereby a portion of the another layer remains exposed for receiving an ohmic contact.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs et un procédé de fabrication. Le dispositif comporte des contacts ohmiques sur différents plans et le procédé consiste à attaquer une pile à semi-conducteurs en couches semi-conductrices à conductivité différentes par étapes successives pour établir une première ouverture d'une première largeur dans une première couche semi-conductrice afin d'exposer une autre couche semi-conductrice, et ensuite une seconde ouverture de largeur plus étroite dans une autre couche, moyennant quoi une partie d'une autre couche reste exposée pour la réception d'un contact ohmique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)