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1. (WO2005079353) PATE METALLIQUE NANOMETRIQUE POUR INTERCONNEXION ET PROCEDE D'UTILISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/079353    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/004567
Date de publication : 01.09.2005 Date de dépôt international : 14.02.2005
CIB :
H01B 1/22 (2006.01), H01B 1/24 (2006.01), H05K 3/00 (2006.01)
Déposants : VIRGINIA TECH INTELLECTUAL PROPERTIES, INC. [US/US]; 1872 Prat Drive, Blacksburg, VA 24060 (US) (Tous Sauf US).
LU, Guo-Quan [US/US]; (US) (US Seulement).
BAI, John, G. [CN/US]; (US) (US Seulement).
CALATA, Jesus, N. [PH/US]; (US) (US Seulement).
ZHANG, Zhiye [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LU, Guo-Quan; (US).
BAI, John, G.; (US).
CALATA, Jesus, N.; (US).
ZHANG, Zhiye; (US)
Mandataire : WHITHAM, Michael, E.; Whitman, Curtis & Christofferson, PC, 11491 Sunset Hills Road, Suite 340, Reston, VA 20190 (US)
Données relatives à la priorité :
60/545,139 18.02.2004 US
Titre (EN) NANOSCALE METAL PASTE FOR INTERCONNECT AND METHOD OF USE
(FR) PATE METALLIQUE NANOMETRIQUE POUR INTERCONNEXION ET PROCEDE D'UTILISATION
Abrégé : front page image
(EN)A paste including metal or metal alloy particles (which are preferably silver or silver alloy), a dispersant material, and a binder is used to form an electrical, mechanical or thermal interconnect between a device and a substrate. By using nano scale particles (i.e., those which are less than 500 nm in size and most preferably less than 100 nm in size), the metal or metal alloy particles can be sintered at a low temperature to form a metal or metal alloy layer which is desired to allow good electrical, thermal and mechanical bonding, yet the metal or metal alloy layer can enable usage at a high temperature such as would be desired for SiC, GaN, or diamond (e.g., wide bandgap devices). Furthermore, significant application of pressure to form the densified layers is not required, as would be the case with micrometer sized particles. In addition, the binder can be varied so as to insulate the metal particles until a desired sintering temperature is reached; thereby permitting fast and complete sintering to be achieved.
(FR)Cette invention concerne une pâte contenant des particules de métal ou d'alliage métallique (de préférence d'argent ou d'alliage d'argent), un matériau dispersant et un liant et utilisée pour former une interconnexion électrique, mécanique ou thermique entre un dispositif et un substrat. Le fait d'utiliser des particules nanométriques (autrement dit des particules dont la taille est inférieure à 500 nm et mieux encore inférieure à 100 nm) permet de fritter les particules de métal ou d'alliage métallique à basse température afin qu'une couche de métal ou d'alliage métallique soit formée, laquelle est densifiée afin qu'on obtienne une bonne liaison électrique, thermique et mécanique, la couche de métal ou d'alliage métallique pouvant par ailleurs être utilisée à haute température, ce qui est notamment souhaitable pour le SiC, le GaN ou le diamant (par exemple dans des dispositifs à large structure de bande). En outre, il n'est pas nécessaire d'appliquer une forte pression pour former les couches densifiées, contrairement aux applications utilisant des particules dont le diamètre est de l'ordre du micromètre. Le liant peut par ailleurs être modifié de façon que les particules de métal soient isolées jusqu'à ce qu'une température de frittage désirée soit atteinte, ce qui permet d'effectuer un frittage rapide et complet.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)