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1. (WO2005079258) DISPOSITIFS A BANDE INTERDITE PHOTONIQUE A BASE DE SOI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/079258    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/004123
Date de publication : 01.09.2005 Date de dépôt international : 09.02.2005
CIB :
G02B 26/00 (2006.01), G02F 1/00 (2006.01)
Déposants : SIOPTICAL, INC. [US/US]; 7540 Windsor Drive, Lower Level, Allentown, PA 18195 (US) (Tous Sauf US).
GOTHOSKAR, Prakash [IN/US]; (US).
GHIRON, Margaret [US/US]; (US).
MONTGOMERY, Robert, Keith [US/US]; (US).
PATEL, Vipulkumar [US/US]; (US).
PATHAK, Soham [US/US]; (US).
PIEDE, David [US/US]; (US).
SHASTRI, Kalpendu [US/US]; (US).
YANUSHEFSKI, Katherine, A. [US/US]; (US)
Inventeurs : GOTHOSKAR, Prakash; (US).
GHIRON, Margaret; (US).
MONTGOMERY, Robert, Keith; (US).
PATEL, Vipulkumar; (US).
PATHAK, Soham; (US).
PIEDE, David; (US).
SHASTRI, Kalpendu; (US).
YANUSHEFSKI, Katherine, A.; (US)
Mandataire : KOBA, Wendy, W.; P.O. Box 556, Springtown, PA 18081 (US)
Données relatives à la priorité :
60/544,088 12.02.2004 US
11/042,774 24.01.2005 US
Titre (EN) SOI-BASED PHOTONIC BANDGAP DEVICES
(FR) DISPOSITIFS A BANDE INTERDITE PHOTONIQUE A BASE DE SOI
Abrégé : front page image
(EN)An SOI-based photonic bandgap (PBG) electro-optic device utilizes a patterned PBG structure to define a two-dimensional waveguide within an active waveguiding region of the SOI electro-optic device. The inclusion of the PBG columnar arrays within the SOI structure results in providing extremely tight lateral confinement of the optical mode within the waveguiding structure, thus significantly reducing the optical loss. By virtue of including the PBG structure, the associated electrical contacts may be placed in closer proximity to the active region without affecting the optical performance, thus increasing the switching speed of the electro-optic device. The overall device size, capacitance and resistance also reduced as a consequence of using PBGs for lateral mode confinement.
(FR)L'invention concerne un dispositif électro-optique à bande interdite photonique (PBG) à base de SOI utilisant une structure PBG à motifs pour définir un guide d'ondes bidimensionnel à l'intérieur d'une région de guidage d'onde active du dispositif électro-optique SOI. L'inclusion des réseaux de colonnes PBG à l'intérieur de la structure SOI produit un confinement latéral extrêmement serré du mode optique à l'intérieur de la structure de guidage d'onde, ce qui permet de réduire significativement les pertes optiques. En raison de l'inclusion de la structure PBG, les contacts électriques associés peuvent être placés plus proches de la région active sans affecter la performance optique, ce qui permet d'augmenter la vitesse de commutation du dispositif électro-optique. La dimension globale, la capacitance et la résistance du dispositif sont également réduites du fait de l'utilisation de PBG pour obtenir un confinement en mode latéral.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)