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1. (WO2005069454) MODULE POMPE DE LASER A SEMI-CONDUCTEUR ET OSCILLATEUR LASER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069454 N° de la demande internationale : PCT/JP2004/000317
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 16.01.2004
CIB :
H01S 3/06 (2006.01) ,H01S 3/0941 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
3
Lasers, c. à d. dispositifs pour la production, l'amplification, la modulation, la démodulation ou le changement de fréquence utilisant l'émission stimulée d'ondes infrarouges, visibles ou ultraviolettes
05
Structure ou forme de résonateurs; Accommodation de milieu actif à l'intérieur de ces résonateurs; Forme du milieu actif
06
Structure ou forme du milieu actif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
3
Lasers, c. à d. dispositifs pour la production, l'amplification, la modulation, la démodulation ou le changement de fréquence utilisant l'émission stimulée d'ondes infrarouges, visibles ou ultraviolettes
09
Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage
091
utilisant le pompage optique
094
par de la lumière cohérente
0941
produite par un laser à semi-conducteur, p.ex. par une diode laser
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 〒1008310 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 Tokyo 2-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008310, JP (AllExceptUS)
柳澤 隆行 YANAGISAWA, Takayuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
平野 嘉仁 HIRANO, Yoshihito [JP/JP]; JP (UsOnly)
山本 修平 YAMAMOTO, Syuhei [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
柳澤 隆行 YANAGISAWA, Takayuki; JP
平野 嘉仁 HIRANO, Yoshihito; JP
山本 修平 YAMAMOTO, Syuhei; JP
Mandataire :
田澤 博昭 TAZAWA, Hiroaki; 〒1000013 東京都千代田区霞が関三丁目7番1号 大東ビル7階 Tokyo 7F, Daito Bldg., 7-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013, JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SOLID-STATE LASER PUMPED MODULE AND LASER OSCILLATOR
(FR) MODULE POMPE DE LASER A SEMI-CONDUCTEUR ET OSCILLATEUR LASER
(JA) 固体レーザ励起モジュール及びレーザ発振器
Abrégé :
(EN) A solid-state laser pumped module comprising a planar solid-state laser medium (3) for amplifying a laser light by imparting a gain generated through absorption of a pumping light (8), a planar slab waveguide (2) bonded optically to the laser light incident surface side of the solid-state laser medium (3) and guiding the pumping light (8) to the solid-state laser medium (3) through the joint, a pumping light reflective film (4) provided on the side face perpendicular to the laser light incident surface of the solid-state laser medium (3) and inwardly reflecting a pumping light advancing to the outside of the solid-state laser medium (3) out of the pumping light (8) which enters the solid-state laser medium (3) from the slab waveguide (2), a total reflection film (5) provided on the side facing the laser light incident surface of the solid-state laser medium (3) and reflecting the laser light impinging on the incident surface and propagating through the solid-state laser medium (3), and a heat sink (7) for exhausting heat generated from the solid-state laser medium (3) through the total reflection film (5).
(FR) Module pompé de laser à semi-conducteur qui comporte un milieu laser à semi-conducteur plan (3) destiné à amplifier une lumière laser en conférant un gain produit par absorption d'une lumière de pompage (8), un guide d'ondes (2) sous forme de plaque plate reliée optiquement au côté du milieu laser à semi-conducteur (3) comportant la surface exposée à la lumière incidente et guidant la lumière de pompage (8) dans le milieu laser à semi-conducteur (3) à travers la jonction, un film réfléchissant (4) la lumière de pompage situé sur la face latérale perpendiculaire à la surface exposée à la lumière laser incidente du milieu laser à semi-conducteur (3) et réfléchissant vers l'intérieur une lumière de pompage se propageant vers l'extérieur du milieu laser à semi-conducteur (3) à partir de la lumière de pompage (8) entrant dans le milieu laser à semi-conducteur (3) depuis le guide d'ondes (2) sous forme de plaque, un film à réflexion totale (5) situé sur le côté du milieu laser à semi-conducteur (3) opposé à la surface exposée à la lumière laser incidente et réfléchissant la lumière laser traversant la surface exposée à la lumière incidente et se propageant à travers le milieu laser à semi-conducteur (3), et un puits thermique (7) destiné à évacuer la chaleur produite par le milieu laser à semi-conducteur (3) à travers le film à réflexion totale (5).
(JA)  励起光8の吸収により発生した利得を与えてレーザ光を増幅する平板状の固体レーザ媒質3と、固体レーザ媒質3のレーザ光入射面側に光学的に接合し、当該接合部分を介して励起光8を固体レーザ媒質3に入射させる平板状のスラブ導波路2と、固体レーザ媒質3のレーザ光入射面に垂直な側面に設けられ、スラブ導波路2から固体レーザ媒質3に入射した励起光8のうち、固体レーザ媒質3外部に向かう励起光をその内部へ反射する励起光反射膜4と、固体レーザ媒質3のレーザ光入射面に対向する面側に設けられ、上記入射面から入射して固体レーザ媒質3内部を伝搬したレーザ光を反射する全反射膜5と、全反射膜5を介して固体レーザ媒質3で発生して伝搬してくる熱を排熱するヒートシンク7とを有する固体レーザ励起モジュール。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
EP1670104JP4402048