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1. (WO2005069392) DISPOSITIFS SUPRACONDUCTEURS A HAUTE TEMPERATURE ET LEURS PROCEDES DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069392 N° de la demande internationale : PCT/US2004/038248
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 10.11.2004
CIB :
H01L 39/22 (2006.01) ,H01L 39/24 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
39
Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l'hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
22
Dispositifs comportant une jonction de matériaux différents, p.ex. dispositifs à effet Josephson
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
39
Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l'hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
24
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement des dispositifs couverts par H01L39/134
Déposants :
CONDUCTUS, INC. [US/US]; 969 West Maude Avenue Sunnyvale, CA 94085-2802, US (AllExceptUS)
MOECKLY, Brian, H. [US/US]; US (UsOnly)
CHAR, Kookrin [KR/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
MOECKLY, Brian, H.; US
CHAR, Kookrin; US
Mandataire :
BRUESS, Steven, C.; Merchant & Could P.C. P.O. Box 2903 Minneapolis, MN 55402-0903, US
Données relatives à la priorité :
10/751,09102.01.2004US
Titre (EN) HIGH-TEMPERATURE SUPERCONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME
(FR) DISPOSITIFS SUPRACONDUCTEURS A HAUTE TEMPERATURE ET LEURS PROCEDES DE PRODUCTION
Abrégé :
(EN) An electronic device including a crystalline substrate (120), an electrode (12) formed on and epitaxial to the substrate, the electrode including a first superconductive oxide, an insulator (14, 16) formed on and epitaxial to the electrode, a barrier (20) that includes an ion-treated surface of the first superconductive oxide, and a counter-electrode (18) formed on and epitaxial to the electrode and the barrier, the counter-electrode including a second superconductive oxide, whereby a Josephson junction is formed between the electrode and the counter-electrode. A superconductor device that includes an oxide superconductor having a surface exposed to ambient environment, and a passivation layer covering at least a portion of the surface of the oxide superconductor that is exposed to the ambient environment. Methods of forming the above devices are also included.
(FR) L'invention concerne un dispositif électronique présentant un substrat cristallin, une électrode formée par croissance épitaxiale sur le substrat, ladite électrode présentant un premier oxyde supraconducteur, un isolant formé par croissance épitaxiale sur l'électrode, une barrière comprenant une surface qui est traitée ioniquement et qui est constituée du premier oxyde supraconducteur, et une contre-électrode formée par croissance épitaxiale sur l'électrode et la barrière, la contre-électrode comprenant un deuxième oxyde supraconducteur, une jonction Josephson étant formée entre l'électrode et la contre-électrode. L'invention concerne également un dispositif supraconducteur à base d'oxyde qui comprend un supraconducteur à base d'oxyde, présentant une surface exposée à un environnement ambiant, et une couche de passivation recouvrant au moins une partie de la surface du supraconducteur à base d'oxyde qui est exposée à l'environnement ambiant. L'invention concerne également des procédés pour produire les dispositifs décrits ci-dessus.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)