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1. (WO2005069387) CELLULE SOLAIRE COMPORTANT UNE MATIERE A POINTS QUANTIQUES OBTENUS PAR CROISSANCE EPITAXIALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069387 N° de la demande internationale : PCT/CA2005/000064
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 20.01.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 17.11.2005
CIB :
H01L 31/042 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
042
comprenant un panneau ou une matrice de cellules photovoltaïques, p.ex. des cellules solaires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
CYRIUM TECHNOLOGIES INCORPORATED [CA/CA]; 1200 Montreal Road M50-IPF 316 Ottawa, Ontario K1A 0R6, CA (AllExceptUS)
FAFARD, Simon [CA/CA]; CA (UsOnly)
Inventeurs :
FAFARD, Simon; CA
Mandataire :
KINSMAN, Anne, L. ; Borden Ladner Gervais LLP World Exchange Plaza 100 Queen Street, Suite 1100 Ottawa, Ontario K1P 1J9, CA
Données relatives à la priorité :
60/537,25920.01.2004US
Titre (EN) SOLAR CELL WITH EPITAXIALLY GROWN QUANTUM DOT MATERIAL
(FR) CELLULE SOLAIRE COMPORTANT UNE MATIERE A POINTS QUANTIQUES OBTENUS PAR CROISSANCE EPITAXIALE
Abrégé :
(EN) A monolithic semiconductor photovoltaic solar cell comprising a plurality of subcells disposed in series on an electrically conductive substrate. At least one subcell of the plurality of subcells includes an epitaxially grown self-assembled quantum dot material. The subcells are electrically connected via tunnel junctions. Each of the subcells has an effective bandgap energy. The subcells are disposed in order of increasing effective bangap energy, with the subcell having the lowest effective bandgap energy being closest to the substrate. In certain cases, each subcell is designed to absorb a substantially same amount of solar photons.
(FR) La présente invention se rapporte à une cellule solaire photovoltaïque, monolithique, à semi-conducteurs comprenant une pluralité de sous-cellules disposées en séries sur un substrat électriquement conducteur. Au moins une sous-cellule de la pluralité des sous-cellules inclut une matière à points quantiques, auto-assemblés, obtenus par croissance épitaxiale. Les sous-cellules sont raccordées électriquement par l'intermédiaire de jonctions tunnel. Chacune de ces sous-cellules possède une énergie de bande interdite efficace. Les sous-cellules sont disposées par ordre d'énergie de bande interdite efficace croissante, avec la sous-cellule dotée de l'énergie de bande interdite efficace la plus faible qui est la plus proche du substrat. Dans certains cas, chaque sous-cellule est conçue pour absorber une quantité sensiblement identique de photons solaires.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
BRPI0506541EP1709690JP2007519237JP2011223022CN1910759CA2551123
AU2005205373IN4349/DELNP/2006