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1. (WO2005069386) PILE A COMBUSTIBLE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069386 N° de la demande internationale : PCT/JP2005/000247
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 12.01.2005
CIB :
H01L 31/0336 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256
caractérisés par les matériaux
0264
Matériaux inorganiques
0328
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des matériaux semi-conducteurs couverts par plusieurs des groupes H01L31/0272-H01L31/032182
0336
dans des régions semi-conductrices différentes, p.ex. des hétéro-jonctions Cu2X/CdX, X étant un élément du sixième groupe de la classification périodique
Déposants :
松下電器産業株式会社 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
高橋康仁 TAKAHASHI, Yasuhito; null (UsOnly)
小野之良 ONO, Yukiyoshi; null (UsOnly)
Inventeurs :
高橋康仁 TAKAHASHI, Yasuhito; null
小野之良 ONO, Yukiyoshi; null
Mandataire :
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS; 〒5306026 大阪府大阪市北区天満橋1丁目8番30号OAPタワー26階 Osaka 26th Floor, OAP TOWER 8-30, Tenmabashi 1-chome Kita-ku Osaka-shi, Osaka 5306026, JP
Données relatives à la priorité :
2004-00576813.01.2004JP
Titre (EN) FUEL CELL AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) PILE A COMBUSTIBLE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
(JA) 太陽電池とその製造方法
Abrégé :
(EN) Disclosed is a fuel cell comprising a substrate (21), a conductive film (22) formed on the substrate (21), a compound semiconductor layer (23) formed on the conductive layer (22) and including a p-type semiconductor crystal containing a group Ib element, a group IIIb element and a group VIb element, an n-type windowed layer (24) formed on the compound semiconductor layer (23) and having an opening (29), and an n-type transparent conductive layer formed on the n-type windowed layer (24) and a part of the compound semiconductor layer (23) under the opening of the n-type windowed layer (24). The compound semiconductor layer (23) has a high resistance portion (23B) containing an n-type impurity which is doped into the p-type semiconductor crystal, and the high resistance portion (23B) is partially formed near a surface of the compound semiconductor layer (23) on the far side from the conductive film (22) in a position under the opening (29) of the n-type windowed layer (24).
(FR) Une pile à combustible comprenant un substrat (21), un film conducteur (22) formé sur le substrat (21), une couche semi-conductrice composée (23) formée sur la couche conductrice (22) et comprenant un cristal semi-conducteur de type p contenant un élément du groupe IB, un élément de groupe IIIB et un élément du groupe VIB, une couche à fenêtre de type n (24) formée sur la couche semi-conductrice composée (23) et ayant une ouverture (29), et une couche conductrice transparente de type n formée sur la couche à fenêtre de type n (24) et une partie de la couche semi-conductrice composée (23) sous l'ouverture de la couche à fenêtre de type n (24). La couche semi-conductrice composée (23) présente une partie à forte résistance (23B) contenant une impureté de type n dopée dans le cristal semi-conducteur de type p, et la partie à forte résistance (23B) est partiellement formée à proximité d'une surface de la couche semi-conductrice composée (23) sur le côté éloigné du film conducteur (22) dans une position inférieure à l'ouverture (29) de la couche à fenêtre de type n (24).
(JA)  太陽電池の構成を、基板(21)と、基板(21)上に形成された導電膜(22)と、導電膜(22)上に形成された、Ib族元素、IIIb族元素及びVIb族元素を含有するp形半導体結晶を有する化合物半導体層(23)と、化合物半導体層(23)上に形成され、開口(29)を有するn形窓層(24)と、n形窓層(24)上及びn形窓層(24)の開口下における化合物半導体層(23)上に形成されたn形透明導電膜とを含む太陽電池であって、化合物半導体層(23)が、導電膜(22)と反対側の表面近傍の一部に形成された、p形半導体結晶にドープされたn形不純物を有する高抵抗部(23B)を有し、高抵抗部(23B)が、n形窓層(24)の開口(29)下に配置されている構成とする。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
EP1705717JPWO2005069386US20070295396CN1842920JP4098330