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1. (WO2005069385) PHOTO-DETECTEUR A CONCENTRATION DE CHAMP PROCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069385 N° de la demande internationale : PCT/EP2004/053324
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 07.12.2004
CIB :
H01L 31/0236 (2006.01) ,H01L 31/0352 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0236
Textures de surface particulières
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0352
caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
Déposants :
THALES [FR/FR]; 45, rue de Villiers F-92200 Neuilly-Sur-Seine, FR (AllExceptUS)
DE ROSSI, Alfredo [FR/FR]; FR (UsOnly)
CARRAS, Mathieu [FR/FR]; FR (UsOnly)
BOIS, Philippe [FR/FR]; FR (UsOnly)
Inventeurs :
DE ROSSI, Alfredo; FR
CARRAS, Mathieu; FR
BOIS, Philippe; FR
Mandataire :
ESSELIN, Sophie ; MARKS & CLERK FRANCE 31-33, avenue Aristide Briand F-94117 Arcueil Cedex, FR
Données relatives à la priorité :
03/1471716.12.2003FR
Titre (EN) PHOTODETECTOR HAVING A NEAR FIELD CONCENTRATION
(FR) PHOTO-DETECTEUR A CONCENTRATION DE CHAMP PROCHE
Abrégé :
(EN) The invention concerns photodetectors (10) and, in particular, quantum-well photodetectors, known as QWIP (Quantum Well Infrared Phodetector) that operate in the infrared range. The aim of the invention is to increase the detectivity of the detectors while significantly reducing the surface of the detection region and retaining the incident flux. This result is obtained by placing a structure (4) on the active region (31) of the photodetector (10) or a network that ensures the coupling of the incident wave and its confinement to the active region (31). This structure (4) or network is characterized in that it comprises patterns or grooves having a first and a second spatial frequency and comprises a fault center.
(FR) Le domaine de l'invention est celui des photodétecteurs (10) et plus précisément des photodétecteurs dits à puits quantiques, connus sous l'acronyme anglo-saxon QWIP signifiant Quantum Well Infrared Phodetector fonctionnant dans le moyen infra-rouge. L'objet de l'invention est d'augmenter la détectivité des détecteurs en diminuant de façon importante la surface de la zone de détection tout en conservant le flux incident. Ce résultat est obtenu en disposant sur la zone active (31) du photo-détecteur (10) une structure (4) ou un réseau assurant le couplage de l'onde incidente et son confinement sur la zone active (31). Cette structure (4) ou ce réseau ont comme caractéristiques majeures de comporter des motifs ou des sillons ayant une première et une seconde fréquence spatiale et de comporter également un défaut central.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Français (FR)
Langue de dépôt : Français (FR)
Également publié sous:
EP1695390US20070085114