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1. (WO2005069384) MODULE D'EMISSION/RECEPTION OPTIQUE ET DISPOSITIF D'EMISSION/RECEPTION OPTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069384 N° de la demande internationale : PCT/JP2004/018131
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 06.12.2004
CIB :
H01L 31/02 (2006.01) ,H01L 31/0232 (2014.01) ,H01L 31/167 (2006.01) ,H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01) ,H01S 5/02 (2006.01) ,H01S 5/022 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0232
Eléments ou dispositions optiques associés au dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
12
structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources de lumière électriques, p.ex. avec des sources de lumière électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec les dites sources
16
le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources de lumière
167
les sources de lumière et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
022
Supports; Boîtiers
Déposants :
松下電器産業株式会社 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
野嶋 一宏 NOJIMA, Kazuhiro; null (UsOnly)
古澤 佐登志 FURUSAWA, Satoshi; null (UsOnly)
西川 透 NISHIKAWA, Toru; null (UsOnly)
浅野 弘明 ASANO, Hiroaki; null (UsOnly)
Inventeurs :
野嶋 一宏 NOJIMA, Kazuhiro; null
古澤 佐登志 FURUSAWA, Satoshi; null
西川 透 NISHIKAWA, Toru; null
浅野 弘明 ASANO, Hiroaki; null
Mandataire :
高松 猛 TAKAMATSU, Takeshi; 〒1076013 東京都港区赤坂一丁目12番32号アーク森ビル13階 栄光特許事務所 Tokyo Eikoh Patent Office 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku Tokyo 1050003, JP
Données relatives à la priorité :
2004-00811815.01.2004JP
Titre (EN) LIGHT TRANSMISSION/RECEPTION MODULE AND LIGHT TRANSMISSION/RECEPTION DEVICE
(FR) MODULE D'EMISSION/RECEPTION OPTIQUE ET DISPOSITIF D'EMISSION/RECEPTION OPTIQUE
(JA) 光送受信モジュールおよび光送受信装置
Abrégé :
(EN) There is provided a light transmission/reception module capable of reducing electric cross-talk between a light emitting element and a light reception element and improving a high-frequency characteristic in the light reception. A light transmission/reception device using the module is also provided. The light transmission/reception module includes a resin package wherein a first substrate (13) on which a light emitting element is mounted is arranged on a first metal plate (11) which is arranged separately/independently from a second metal plate (12) having a second substrate (14) on which a light reception element (16) is arranged. This can reduce the parasitic capacity. Accordingly, when current-driving a light emitting element (15) with a high-frequency signal, it is possible to improve the high-frequency characteristic and suppress electric cross talk, i.e., potential fluctuation caused at the terminal of the light reception element (16) by a part of the high-frequency signal.
(FR) L'invention concerne un module d'émission/réception optique permettant de réduire les intermodulations électriques entre un élément émetteur optique et un élément récepteur optique et à améliorer une caractéristique haute fréquence de la réception optique. L'invention concerne en outre un dispositif d'émission/réception optique utilisant ledit module. Le module d'émission/réception optique comporte un logement en résine dans lequel un premier substrat (13) est monté sur une première plaque métallique (11), un élément émetteur optique étant fixé sur ledit substrat, ladite plaque étant disposée séparément/indépendamment d'une seconde plaque métallique (12) présentant un second substrat (14) sur lequel un élément récepteur optique (16) est fixé. La capacité parasitique peut ainsi être réduite. De cette manière, la caractéristique haute fréquence peut être améliorée en commandant un élément émetteur optique (15) avec un signal à haute fréquence et on peut réduire les intermodulations électriques, c-à-d la fluctuation possible créée à la borne de l'élément récepteur optique (16) par un composant du signal à haute fréquence.
(JA)  本発明の課題は、発光素子と受光素子との間の電気クロストークを低減し、かつ、光受信における高周波特性を改善することができる光送受信モジュール及びこれを備えた光送受信装置を提供することである。  本発明において、樹脂パッケージ内部で発光素子を実装する第1の基板(13)を搭載する第1の金属板(11)と、受光素子(16)を配置する第2の基板(14)を搭載する第2の金属板(12)とをそれぞれ分離・独立して設けており、寄生容量を小さくできる。従って、発光素子(15)を高周波信号で電流駆動する際に、高周波特性を改善しつつ、高周波信号の一部が受光素子(16)の端子に電位変動をもたらす電気クロストークを抑制することが可能な光送受信モジュール及びこれを備えた光送受信装置を提供できる。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
US20070086708CN1902763