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1. (WO2005069383) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET ECRAN UTILISANT LEDIT TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069383 N° de la demande internationale : PCT/JP2005/000249
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 12.01.2005
CIB :
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
松下電器産業株式会社 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
原田健史 HARADA, Kenji; null (UsOnly)
竹内孝之 TAKEUCHI, Takayuki; null (UsOnly)
七井識成 NANAI, Norishige; null (UsOnly)
小森一徳 KOMORI, Kazunori; null (UsOnly)
Inventeurs :
原田健史 HARADA, Kenji; null
竹内孝之 TAKEUCHI, Takayuki; null
七井識成 NANAI, Norishige; null
小森一徳 KOMORI, Kazunori; null
Mandataire :
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS; 〒5306026 大阪府大阪市北区天満橋1丁目8番30号OAPタワー26階 Osaka 26th Floor, OAP TOWER 8-30, Tenmabashi 1-chome Kita-ku Osaka-shi, Osaka 5306026, JP
Données relatives à la priorité :
2004-00833615.01.2004JP
Titre (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR AND DISPLAY USING SAME
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET ECRAN UTILISANT LEDIT TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
(JA) 電界効果トランジスタ及びそれを用いた表示装置
Abrégé :
(EN) Disclosed is a field effect transistor comprising a semiconductor layer (15) containing an organic matter, and a first electrode (16), second electrode (12) and third electrode (14) which are not in electrical contact with one another. The first electrode (16) is arranged above the semiconductor layer (15); the second electrode (12) is arranged below the semiconductor layer (15); and the third electrode (14) is arranged beside the semiconductor layer (15). The semiconductor layer (15) is electrically connected to either two of the first electrode (16), second electrode (12) and third electrode (14). Electrically insulating layers (13, 17) are interposed between the electrodes (12, 14, 16), and the first electrode (16) covers the upper side of the semiconductor layer (15) while sticking out the periphery of the semiconductor layer (15). Consequently, the field effect transistor can be resistant to air and water and thus has a long life, even though an organic semiconductor is used therein. Also disclosed is a display using such a field effect transistor.
(FR) L'invention concerne un transistor à effet de champ comprenant une couche semi-conductrice (15) contenant une matière organique et une première électrode (16), une seconde électrode (12) et une troisième électrode (14) qui ne sont pas en contact électrique les unes avec les autres. La première électrode (16) est disposée au-dessus de la couche semi-conductrice (15) ; la seconde électrode (12) est disposée au-dessous de la couche semi-conductrice (15) ; et la troisième électrode (14) est disposée à côté de la couche semi-conductrice (15). La couche semi-conductrice (15) est connectée électriquement à au moins deux de ces trois électrodes (12, 14, 16). Des couches d'isolation électrique (13, 17) sont intercalées entre les électrodes (12, 14, 16) et la première électrode (16) couvre le côté supérieur de la couche semi-conductrice (15) tout en bombant le pourtour de cette dernière. En conséquence, le transistor à effet de champ selon l'invention peut être résistant à l'air et à l'eau et, par conséquent, avoir une longue durée de vie, même s'il contient un semi-conducteur organique. L'invention concerne également un écran utilisant ledit transistor à effet de champ.
(JA)  有機物を含有する半導体層(15)と、少なくとも互いに電気的に非接触である第一電極(16)、第二電極(12)及び第三電極(14)を含む電界効果トランジスタであって、半導体層(15)の上方に第一電極(16)が配置され、半導体層(15)の下方に第二電極(12)が配置され、半導体層(15)の側方に第三電極(14)が配置され、半導体層(15)は第一電極(16)、第二電極(12)及び第三電極(14)から選ばれるいずれか2つの電極と電気的に接合され、各電極(12,14,16)間には電気的絶縁体層(13,17)を介在させ、第一電極(16)は半導体層(15)の上方を半導体層(15)の外周部より外側にはみ出して覆っている。これにより、有機半導体を用いた電界効果トランジスタであっても、空気や水に強く、かつ長寿命な電界効果トランジスタ及びそれを用いた表示装置を提供する。                                                                                       
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
JPWO2005069383US20070012922JP4124787CN1788355