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1. (WO2005069382) TRANSISTOR A COUCHE DE CHARGE INDUITE PAR TRAVAIL D'EXTRACTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/069382    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/041938
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 14.12.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    03.11.2005    
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : ACORN TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 881 Alma Real Drive, Pacific Palisades, CA 90272 (US) (Tous Sauf US).
CONNELLY, Daniel, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
FAULKNER, Carl [US/US]; (US) (US Seulement).
GRUPP, Daniel, E. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CONNELLY, Daniel, J.; (US).
FAULKNER, Carl; (US).
GRUPP, Daniel, E.; (US)
Mandataire : FAHMI, Tarek; 12400 Wilshrire Boulevard, 7th Floor, Los Angeles, CA 90025 (US).
FAHMI, Tarek, N.; Sonnenschein Nath & Rosenthal LLP, P.O. Box 061080, Wacker Drive Station, Sears Tower, Chicago, IL 60606-1080 (US)
Données relatives à la priorité :
60/535,082 07.01.2004 US
10/832,576 26.04.2004 US
Titre (EN) TRANSISTOR WITH WORKFUNCTION-INDUCED CHARGE LAYER
(FR) TRANSISTOR A COUCHE DE CHARGE INDUITE PAR TRAVAIL D'EXTRACTION
Abrégé : front page image
(EN)An electrical switching device includes a semiconductor having a channel therein which is proximate to at least one channel tap in an extension region and also to a grate. A conductor (e.g., a metal) is disposed proximate to the extension region but is electrically isolated from both the extension region and the gate (e.g., through the use of one or more insulators). The conductor has a workfunction outside of the bandgap of a semiconductor in the extension region and therefore induces a layer of charge in the extension region. The magnitude and polarity of this layer of charge is controlled through selection of the metal, the semiconductor, and the insulator.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de commutation électrique comprenant un semi-conducteur qui présente un canal situé à proximité d'au moins un branchement de canal dans une région d'extension et d'une grille. Un conducteur (par ex. un métal) est placé à proximité de la région d'extension, mais est isolé électriquement à la fois de la région d'extension et de la grille (par ex. au moyen d'un ou plusieurs isolateurs). Le conducteur présente un travail d'extraction situé hors de la largeur de bande interdite d'un semi-conducteur dans la région d'extension, ce qui induit une couche de charge dans cette région d'extension. La magnitude et la polarité de cette couche de charge sont commandées en sélectionnant le métal, le semi-conducteur et l'isolateur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)