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1. (WO2005069381) STRUCTURE DE MODULE DE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
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1 . 半導体装置のモジュール構造であって、

第 1導電型の高抵抗層と、

前記第 1導電型の高抵抗層の上部に形成された第 2導電型のベース層と、 前記第 2導電型のベース層の上部に形成された第 1導電型のェミッタ領域

口一

前記ェミッタ領域に接続されるェミッタ電極と、

前記第 2導電型のベース層に隣接しのて絶縁されたゲー卜電極と、

前記ェミッタ領域を含むセル領域周囲の拡散を深くしたガードリング部と、 前記ガードリング部の上部に形成し、かつ、囲前記セル領域の上部にはかから ないパッシベーシヨン膜と、

前記第 1導電型のバッファ層の下面に形成される第 2導電型のコレクタ層

前記コレクタ層に接続されるコレクタ電極と、

前記/ ッシベーション膜に非接触となる高さで前記ェミッタ電極に接続され る金属平板の上部放熱部と、

を備えた半導体装置のモジュール構造。

2 . 前記半導体装置のモジュール構造は、さらに、ダイオード部を備え、該ダイ ォード部の上部のカソード電極と前記上部放熱部とが接続されていることを特徴 とする請求項 1に記載の半導体装置のモジュール構造。