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1. (WO2005069381) STRUCTURE DE MODULE DE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069381 N° de la demande internationale : PCT/JP2004/018102
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 30.11.2004
CIB :
H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
Déposants :
本田技研工業株式会社 HONDA MOTOR CO., LTD. [JP/JP]; 〒107-8556 東京都 港区 南青山二丁目1番1号 Tokyo 1-1, Minami-Aoyama 2-chome Minato-ku, Tokyo 107-8556, JP (AllExceptUS)
北村 謙二 KITAMURA, Kenji [JP/JP]; JP (UsOnly)
谷高 真一 YATAKA, Shinichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
遠藤 陸男 ENDO, Takao [JP/JP]; JP (UsOnly)
冨永 雄二郎 TOMINAGA, Yuujiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
田中 俊秀 TANAKA, Toshihide [JP/JP]; JP (UsOnly)
佐藤 浩一郎 SATO, Koichiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
北村 謙二 KITAMURA, Kenji; JP
谷高 真一 YATAKA, Shinichi; JP
遠藤 陸男 ENDO, Takao; JP
冨永 雄二郎 TOMINAGA, Yuujiro; JP
田中 俊秀 TANAKA, Toshihide; JP
佐藤 浩一郎 SATO, Koichiro; JP
Mandataire :
下田 容一郎 SHIMODA, Yo-ichiro; 〒107-0052 東京都 港区 赤坂1丁目1番12号 明産溜池ビル Tokyo Meisan Tameike Bldg. 1-12, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 107-0052, JP
Données relatives à la priorité :
2004-00802215.01.2004JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MODULE STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE MODULE DE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置のモジュール構造
Abrégé :
(EN) A semiconductor module includes: a semiconductor element (13) having a working unit (11) and a guard ring unit (12); and heat radiation members (15, 14) arranged on the upper surface and the lower surface of the semiconductor element for cooling the semiconductor element. A passivation film (20) covers the guard ring but does not cover the working unit. The upper heat radiation member (15) is made of a flat metal plate connected to the working unit without contact with the passivation film. The upper heat radiation member is connected to the lower heat radiation member (14) in the thermo-conducting way.
(FR) Un module à semi-conducteur comprend: un élément à semi-conducteur (13) comprenant une unité de travail (11) ainsi qu'une unité d'anneau de garde (12); et des éléments de rayonnement thermique (15, 14) agencés sur la surface supérieure et la surface inférieure de l'élément à semi-conducteur pour refroidir l'élément à semi-conducteur. Une couche mince de passivation (20) couvre l'anneau de garde mais elle ne couvre pas l'unité de travail. L'élément de rayonnement thermique supérieur (15) est constitué d'une plaque de métal plane connectée à l'unité de travail sans contact avec la couche mince de passivation. L'élément de rayonnement thermique supérieur est connecté à l'élément de rayonnement thermique inférieur (14) en thermoconduction.
(JA) 本発明の半導体モジュールは、作動都(11)とガードリング部(12)とを有する半導体素子(13)と、該半導体素子の上面および下面に設けられて該半導体素子を冷却する上下の放熱部材(15,14)とから成る。パッシベーション膜(20)は、ガードリング部を覆っているが、作動部を覆っていない。上部放熱部(15)は、前記パッシベーション膜に非接触となるよう作動部に接続された金属平板からなる。上部放熱部と下部放熱部(14)とは熱伝導可能に接続されている。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
US20070138596CN1906766