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1. (WO2005069377) DISPOSITIF DE FORMATION D'IMAGES A SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069377 N° de la demande internationale : PCT/JP2005/000129
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 07.01.2005
CIB :
H01L 21/76 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/335 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76
Réalisation de régions isolantes entre les composants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
Déposants :
松下電器産業株式会社 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
森 三佳 MORI, Mitsuyoshi; null (UsOnly)
山口 琢己 YAMAGUCHI, Takumi; null (UsOnly)
吉田 真治 YOSHIDA, Shinji; null (UsOnly)
Inventeurs :
森 三佳 MORI, Mitsuyoshi; null
山口 琢己 YAMAGUCHI, Takumi; null
吉田 真治 YOSHIDA, Shinji; null
Mandataire :
前田 弘 MAEDA, Hiroshi; 〒5410053 大阪府大阪市中央区本町2丁目5番7号 大阪丸紅ビル Osaka Osaka-Marubeni Bldg. 5-7, Hommachi 2-chome Chuo-ku Oasa-shi, Osaka 541-0053, JP
Données relatives à la priorité :
2004-01071519.01.2004JP
2004-01071819.01.2004JP
2004-01072319.01.2004JP
2004-05726002.03.2004JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION D'IMAGES A SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 固体撮像装置およびその製造方法
Abrégé :
(EN) A method for manufacturing a solid-state imaging device, wherein a pad insulating film (2) of an oxide film and an oxidation-resistance film (3) of a nitride film are deposited on an n-type semiconductor substrate (1), an opening (4) is formed to expose an element-isolation region of the semiconductor substrate (1), an oxidation-resistance film (not shown) for filling in the opening (4) is formed on the substrate, a side wall (5) is formed by anisotropic dry etching, a trench (6) is formed using the oxidation-resistance film (3) and the side wall (5) as a mask, p-type impurities are implanted into the exposed portion of the side surface of the trench (6) of the semiconductor substrate (1), a thermal oxide film is formed on the surface of the trench (6) of the semiconductor substrate (1), and the trench (6) is filled in with a filing film (8).
(FR) La présente invention a trait à un procédé de fabrication d'un dispositif de formation d'images à semi-conducteurs, dans lequel un film d'isolation de plage (2) d'un film d'oxyde et d'un film résistant à l'oxydation (3) d'un film de nitrure sont déposés sur un substrat semi-conducteur de type n (1), une ouverture (4) est formée pour exposer une région d'isolation d'éléments du substrat semi-conducteur (1), un film résistant à l'oxydation (non représenté) pour le remplissage de l'ouverture (4) est formé sur le substrat, une paroi latérale (5) est formée par gravure à sec anisotrope, une tranchée (6) est formée à l'aide du film résistant à l'oxydation (3) et la paroi latérale (5) comme masque, des impuretés de type p sont implantées dans la portion exposée de la surface latérale de la tranchée (6) du substrat semi-conducteur (1), un film d'oxyde thermique est formé sur la surface de la tranchée (6) du substrat semi-conducteur (1) et la tranchée est remplie avec un film de remplissage (8).
(JA)  本発明の固体撮像装置の製造方法では、n型の半導体基板1の上に、酸化膜からなるパッド絶縁膜2と、窒化膜からなる耐酸化性膜3とを堆積する。そして、開口4を形成することにより、半導体基板1の素子分離用領域を露出させる。次に、基板上に開口4を埋める耐酸化性膜(図示せず)を形成し、異方性ドライエッチングを行うことによりサイドウォール5を形成する。次に、耐酸化性膜3およびサイドウォール5をマスクとしてトレンチ6を形成する。次に、半導体基板1のうちトレンチ6の側面に露出する部分にp型の不純物を注入し、半導体基板1のうちトレンチ6の表面部に熱酸化膜を形成する。その後、トレンチ6を埋め込み用膜8で埋める。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
US20070020795CN1806335