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1. (WO2005069373) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE SELECTIVE DE SILICIUM SUR ISOLANT A TROUS D'OXYDE SOUS SOURCE/DRAIN DE COURANT CONTINU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069373 N° de la demande internationale : PCT/EP2005/050039
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 06.01.2005
CIB :
H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants :
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504, US (AllExceptUS)
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41 North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU, GB (MG)
WONG, Robert [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
WONG, Robert; US
Mandataire :
JENNINGS, Michael, John; IBM United Kingdom Limited Intellectual Property Law Hursley Park Winchester Hampshire SO21 2JN, GB
Données relatives à la priorité :
10/754,32008.01.2004US
Titre (EN) DISCRIMINATIVE SOI WITH OXIDE HOLES UNDERNEATH DC SOURCE/DRAIN
(FR) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE SELECTIVE DE SILICIUM SUR ISOLANT A TROUS D'OXYDE SOUS SOURCE/DRAIN DE COURANT CONTINU
Abrégé :
(EN) A selective SOI structure having body contacts for all the devices while excluding the buried oxide that is directly underneath diffusions of DC nodes such as applied voltage Vdd, ground GND, reference voltage Vref, and other like DC nodes is provided. The selective SOI structure of the present invention can be used in ICs to enhance the performance of the circuit. The selective SOI structure of the present invention includes a silicon-on-insulator (SOI) substrate material comprising a top Si-containing layer having a plurality of SOI devices located thereon. The SOI devices are in contact with an underlying Si-containing substrate via a body contact region. A DC node diffusion region not containing an underlying buried oxide region is adjacent to one of the SOI devices.
(FR) La présente invention a trait à une structure sélective de silicium sur isolant comportant des contacts de corps pour tous les dispositifs à l'exclusion de l'oxyde enterré qui se trouve directement sous des diffusions de noeuds de courant continu telles qu'une tension appliquée (Vdd), la masse (GND), une tension de référence (Vref), et d'autres noeuds de courant continu similaires. La structure sélective de silicium sur isolant de la présente invention peut être utilisée dans des circuits intégrés pour l'amélioration de l'efficacité du circuit. La structure sélective de silicium sur isolant de la présente invention comporte un matériau de substrat de silicium sur isolant comportant une couche supérieure contenant du silicium portant une pluralité de dispositifs de silicium sur isolant. Les dispositifs de silicium sur isolant sont en contact avec un substrat sous-jacent comprenant du silicium via une région de contact de corps. Une région de diffusion de noeud de courant continu ne contenant pas une région d'oxyde enterré est adjacente à un des dispositifs de silicium sur isolant.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020060123434IL176686EP1706905JP2007519239CN1906762IN2894/CHENP/2006