Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2005069372) CONDUCTEUR EN NANOTUBES DE CARBONE DESTINE A DES CONDENSATEURS A TRANCHEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069372 N° de la demande internationale : PCT/US2003/040295
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 18.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 28.06.2005
CIB :
H01L 27/108 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
108
Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire
Déposants :
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [--/--]; New Orchard Road Armonk, NY 10504, US (AllExceptUS)
FURUKAWA, Toshiharu [JP/US]; US (UsOnly)
HAKEY, Mark, C. [US/US]; US (UsOnly)
HOLMES, Steven, J. [US/US]; US (UsOnly)
HORAK, David, V. [US/US]; US (UsOnly)
KOBURGER, Charles, W., III [US/US]; US (UsOnly)
NESBIT, Larry, A. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
FURUKAWA, Toshiharu; US
HAKEY, Mark, C.; US
HOLMES, Steven, J.; US
HORAK, David, V.; US
KOBURGER, Charles, W., III; US
NESBIT, Larry, A.; US
Mandataire :
ANDERSON, Jay, H.; International Business Machines Corporation ZIP 482 2070 Route 52 Hopewell Junction, NY 12533, US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) CARBON NANOTUBE CONDUCTOR FOR TRENCH CAPACITORS
(FR) CONDUCTEUR EN NANOTUBES DE CARBONE DESTINE A DES CONDENSATEURS A TRANCHEE
Abrégé :
(EN) A trench-type storage device includes a trench in a substrate (100), with bundles of carbon nanotubes (202) lining the trench and a trench conductor (300) filling the trench. A trench dielectric (200) may be formed between the carbon nanotubes and the sidewall of the trench. The bundles of carbon nanotubes form an open cylinder structure lining the trench. The device is formed by providing a carbon nanotube catalyst structure on the substrate and patterning the trench in the substrate; the carbon nanotubes are then grown down into the trench to line the trench with the carbon nanotube bundles, after which the trench is filled with the trench conductor.
(FR) L'invention concerne un dispositif de stockage de type à tranchée comprenant une tranchée dans un substrat (100), avec des groupes de nanotubes de carbone (202) recouvrant la tranchée et un conducteur de tranchée (300) remplissant la tranchée. Un matériau diélectrique de tranchée (200) peut être formé entre les nanotubes de carbone et la paroi latérale de la tranchée. Les groupes de nanotubes de carbone forment une structure cylindrique ouverte recouvrant la tranchée. Le dispositif est formé par mise en oeuvre d'une structure de catalyseur en nanotubes de carbone sur le substrat et par structuration de la tranchée dans le substrat; les nanotubes de carbone sont ensuite développés au fond de la tranchée de manière à recouvrir celle-ci au moyen de groupes de nanotubes de carbone, puis la tranchée est remplie au moyen du conducteur de tranchée.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
US20090014767AU2003301031