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1. (WO2005069371) STRUCTURE DE DECHARGE ELECTROSTATIQUE A HAUTE ENERGIE ET PROCEDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069371 N° de la demande internationale : PCT/US2004/039718
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 26.11.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 07.07.2005
CIB :
H01L 27/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
Déposants :
SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, L.L.C. [US/US]; 5005 E. McDowell Road - A700 Phoenix, Arizona 85008, US (AllExceptUS)
Inventeurs :
ZDEBEL, Peter J.; US
DOW, Diann Michelle; US
Mandataire :
JACKSON, Kevin B. ; Patent Administration - A700 P.O. Box 62890 Phoenix, AZ 85082-2890, US
Données relatives à la priorité :
10/750,26702.01.2004US
Titre (EN) HIGH ENERGY ESD STRUCTURE AND METHOD
(FR) STRUCTURE DE DECHARGE ELECTROSTATIQUE A HAUTE ENERGIE ET PROCEDE
Abrégé :
(EN) A concentric ring ESD structure (10) includes a first p-type region (16) and a second p-type region (19) formed in a layer of semiconductor material (27). The two p-type regions (16, 19) are coupled together with a floating n-type buried layer (26). The first and second p-type regions (16, 19) form a back-to-back diode structure with the floating n-type buried layer (26). A pair of shorted n-type (167, 197) and p-type (166, 196) contact regions is formed in each of the first and second regions (16, 19). An isolation region (17, 32) is formed between the first and second p-type regions (16, 19).
(FR) La présente invention a trait à une structure de décharge électrostatique en forme d'anneau concentrique (10) comportant une première région de type p (16) et une deuxième région de type p (19) formées dans une couche de matériau semi-conducteur (27). Les deux régions de type p (16, 19) sont reliées à une couche enterrée flottante de type n (26). Les première et deuxième régions de type p (16, 19) forment une structure de diodes dos à dos avec la couche enterrée flottante de type n (26). Une paire de régions de contacts de type n (167, 197) et de type p (166, 196) court-circuitées est formée dans chacune des première et deuxième régions (16, 19). Une région d'isolation (17, 32) est formée entre les première et deuxième régions de type p (16, 19).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020060115756JP2007518255CN1894794