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1. (WO2005069368) ELEMENT MOBILE DE PAROI DE DOMAINE MAGNETIQUE A INJECTION DE COURANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069368 N° de la demande internationale : PCT/JP2005/000336
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 14.01.2005
CIB :
H01L 21/82 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 43/06 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
06
Dispositifs à effet Hall
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
Déposants :
独立行政法人科学技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 〒3320012 埼玉県川口市本町四丁目1番8号 Saitama 1-8, Hon-cho 4-chome, Kawaguchi-shi, Saitama 3320012, JP (AllExceptUS)
TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP (AllExceptUS)
大野 英男 OHNO, Hideo [JP/JP]; JP (UsOnly)
松倉 文▲礼▼ MATSUKURA, Fumihiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
千葉 大地 CHIBA, Daichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
山ノ内 路彦 YAMANOUCHI, Michihiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
大野 英男 OHNO, Hideo; JP
松倉 文▲礼▼ MATSUKURA, Fumihiro; JP
千葉 大地 CHIBA, Daichi; JP
山ノ内 路彦 YAMANOUCHI, Michihiko; JP
Mandataire :
清水 守 SHIMIZU, Mamoru; 〒1010053 東京都千代田区神田美土代町7番地10大園ビル Tokyo Ohzono Bldg., 7-10, Kanda-mitoshiro-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010053, JP
Données relatives à la priorité :
2004-00751415.01.2004JP
Titre (EN) CURRENT INJECTION MAGNETIC DOMAIN WALL MOVING ELEMENT
(FR) ELEMENT MOBILE DE PAROI DE DOMAINE MAGNETIQUE A INJECTION DE COURANT
(JA) 電流注入磁壁移動素子
Abrégé :
(EN) There is provided a current injection magnetic domain wall moving element capable of eliminating an external magnetic field required for magnetic inversion of a ferromagnetic body and reducing power consumption. The current injection magnetic domain wall moving element has a small junction of two magnetic bodies (a first magnetic body (1) and a second magnetic body (2)) having anti-parallel magnetization direction and a third magnetic body (3) sandwiched between them. By running a pulse current (with current density 104 to 107 A/cm2) across the small junction boundary, the interaction between the pulse current and the magnetic domain wall moves the magnetic domain wall in the current direction or the reverse direction, thereby controlling the magnetization direction of the element.
(FR) L'invention concerne un élément mobile de paroi de domaine magnétique à injection de courant susceptible d'éliminer un champ magnétique externe requis pour une inversion magnétique d'un corps ferromagnétique et de réduire la consommation d'énergie. Cet élément mobile de paroi de domaine magnétique à injection de courant présente une petit raccordement de deux corps magnétiques (un premier et un deuxième corps magnétiques (1, 2)) présentant un sens de magnétisation antiparallèle et, entre les deux, un troisième corps magnétique (3). L'exploitation d'un courant pulsé (avec une densité de courant comprise entre 104 et 107 A/cm2) traversant la petite limite de raccordement, permet à l'interaction entre le courant pulsé et la paroi du domaine magnétique de déplacer celle-ci dans le sens du courant ou dans le sens inverse, le sens de magnétisation de l'élément étant ainsi régulé.
(JA)  強磁性体の磁化反転に必要な外部磁場をなくし、消費電力の省力化を図ることができる電流注入磁壁移動素子を提供する。  電流注入磁壁移動素子であって、反平行の磁化方向を持つ二つの磁性体(第1の磁性体1と第2の磁性体2)と、それらに挟まれた第3の磁性体3の微小接合を有し、この微小接合界面を横切るパルス電流(電流密度が、104−107A/cm2)を流すことにより、このパルス電流と磁壁との相互作用により電流方向もしくは逆方向に磁壁を移動させ、素子の磁化方向を制御する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
KR1020070030741EP1708257US20080137405