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1. (WO2005069367) PROCEDE PERMETTANT DE FABRIQUER UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SYSTEME DE FORMATION DE FILM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069367 N° de la demande internationale : PCT/JP2005/000297
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 13.01.2005
CIB :
H01L 21/311 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01) ,H01L 21/314 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105
Post-traitement
311
Gravure des couches isolantes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
312
Couches organiques, p.ex. couche photosensible
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314
Couches inorganiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314
Couches inorganiques
316
composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
Déposants :
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 〒1078481 東京都港区赤坂五丁目3番6号 Tokyo 3-6, Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 1078481, JP (AllExceptUS)
小林 保男 KOBAYASHI, Yasuo [JP/JP]; JP (UsOnly)
西澤 賢一 NISHIZAWA, Kenichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
亀嶋 隆季 KAMESHIMA, Takatoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
松岡 孝明 MATSUOKA, Takaaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
小林 保男 KOBAYASHI, Yasuo; JP
西澤 賢一 NISHIZAWA, Kenichi; JP
亀嶋 隆季 KAMESHIMA, Takatoshi; JP
松岡 孝明 MATSUOKA, Takaaki; JP
Mandataire :
吉武 賢次 YOSHITAKE, Kenji; 〒1000005 東京都千代田区丸の内三丁目2番3号 富士ビル323号 協和特許法律事務所 Tokyo Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku Tokyo 1000005, JP
Données relatives à la priorité :
2004-00573813.01.2004JP
2004-29084601.10.2004JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FILM-FORMING SYSTEM
(FR) PROCEDE PERMETTANT DE FABRIQUER UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SYSTEME DE FORMATION DE FILM
(JA) 半導体装置の製造方法および成膜システム
Abrégé :
(EN) An insulating film (91) composed of CF is formed on a substrate. A protective film including an SiCN film (93) is formed on the insulating film (91). A thin film (94) for hard mask which is composed of SiCO is formed on the protective film using a plasma containing active species of silicon, carbon and oxygen. During the formation of the protective film, an SiC film (92) is formed on the insulating film (91) using a plasma containing active species of silicon and carbon, and then an SiCN film (93) is formed on the SiC film (92) using a plasma containing active species of silicon, carbon and nitrogen.
(FR) La présente invention se rapporte à un procédé, qui consiste : à former un film isolant (91) constitué de CF sur un substrat ; à former un film protecteur contenant un film de SiCN (93) sur le film isolant (91) ; à former un film mince (94) destiné à former un masque dur et composé de SiCO sur le film protecteur, à l'aide d'un plasma contenant des espèces réactives du silicium, du carbone et de l'oxygène ; à former, pendant la formation du film protecteur, un film de SiC (92) sur le film isolant (91), à l'aide d'un plasma contenant des espèces réactives du silicium et du carbone ; puis à former un film de SiCN (93) sur le film de SiC (92), à l'aide d'un plasma contenant des espèces réactives du silicium, du carbone et de l'azote.
(JA)  基板の上にCFからなる絶縁膜(91)を成膜する。この絶縁膜(91)の上に、SiCN膜(93)を含んでなる保護層を形成する。この保護層の上に、ケイ素、炭素および酸素の活性種を含むプラズマにより、SiCOからなるハードマスク用の薄膜(94)を成膜する。保護層を形成する際には、ケイ素および炭素の活性種を含むプラズマにより、絶縁膜(91)の上にSiC膜(92)を成膜した後、ケイ素、炭素および窒素の活性種を含むプラズマによりSiC膜(92)の上にSiCN膜(93)を成膜する。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
KR1020060127109US20080254641CN1910746