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1. (WO2005069361) DISPOSITIF DE TRAITEMENT THERMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069361 N° de la demande internationale : PCT/JP2005/000651
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 20.01.2005
CIB :
H01L 21/673 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
673
utilisant des supports spécialement adaptés
Déposants :
株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 〒1648511 東京都中野区東中野三丁目14番20号 Tokyo 14-20, Higashi-Nakano 3-chome Nakano-ku, Tokyo 164-8511, JP (AllExceptUS)
中村 直人 NAKAMURA, Naoto [JP/JP]; JP (UsOnly)
中村 巌 NAKAMURA, Iwao [JP/JP]; JP (UsOnly)
島田 智晴 SHIMADA, Tomoharu [JP/JP]; JP (UsOnly)
諸橋 明 MOROHASHI, Akira [JP/JP]; JP (UsOnly)
山▲崎▼ 恵信 YAMAZAKI, Keishin [JP/JP]; JP (UsOnly)
中嶋 定夫 NAKASHIMA, Sadao [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
中村 直人 NAKAMURA, Naoto; JP
中村 巌 NAKAMURA, Iwao; JP
島田 智晴 SHIMADA, Tomoharu; JP
諸橋 明 MOROHASHI, Akira; JP
山▲崎▼ 恵信 YAMAZAKI, Keishin; JP
中嶋 定夫 NAKASHIMA, Sadao; JP
Mandataire :
特許業務法人 アイ・ピー・エス PATENT RELATED CORPORATION IPS; 〒2210052 神奈川県横浜市神奈川区栄町5番地1 横浜クリエーションスクエア15階 Kanagawa 15F., Yokohama Creation Square 5-1, Sakaecho Kanagawa-ku, Yokohama-shi Kanagawa 221-0052, JP
Données relatives à la priorité :
2004-01216620.01.2004JP
2004-08884325.03.2004JP
Titre (EN) HEAT TREATMENT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT THERMIQUE
(JA) 熱処理装置
Abrégé :
(EN) A heat treatment device where intervals between substrates supported by a supporter is reduced so that the number of substrates to be treated can be increased. A heat treatment device (10) has a reaction furnace (40) for treating substrates (72) and a supporter (30) for supporting the substrates (72) in plural stages in the reaction furnace (40). The supporter (30) has supporting plates (58) in contact with the substrates (72) and supporting members (66) for supporting the supporting plates (58). A supporting plate (58) and a supporting member (66) are superposed on each other at at least a part in the thickness direction.
(FR) L'invention concerne un dispositif de traitement thermique dans lequel les intervalles entre les substrats portés par un organe de support sont réduits de manière que le nombre de substrats à traiter peut être augmenté. Un dispositif de traitement thermique (10) comprend un four de réaction (40) destiné à traiter les substrats (72) ainsi qu'un organe de support (30) et destiné à porter les substrats (72) à plusieurs niveaux dans le four de réaction (40). L'organe de support (30) comprend des plaques de support (58) en contact avec les substrats (72) et des éléments de support (66) destinés à porter les plaques de support (58). Une plaque de support (58) et un élément de support (66) sont superposés l'un sur l'autre au moins au niveau d'une partie dans le sens de l'épaisseur.
(JA) 支持具に支持される基板間のピッチを縮小し、処理枚数を増大させることができる熱処理装置を提供する。熱処理装置10は、基板72を処理する反応炉40と、反応炉40内で複数枚の基板72を複数段に支持する支持具30とを有する。この支持具30は、基板72と接触する複数の支持板58と、この複数の支持板58を支持する支持片66とを有し、支持板58と支持片66が厚さ方向の少なくとも一部において重なるように構成される。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
US20070275570JP4597868