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1. (WO2005069357) CO-DOPAGE POUR LE CONTROLE DU NIVEAU DE FERMI DANS DES NITRURES DU GROUPE III SEMI-ISOLANTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069357 N° de la demande internationale : PCT/US2004/031982
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 28.09.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 10.06.2005
CIB :
H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
Déposants :
CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina 27703, US (AllExceptUS)
SAXLER, Adam William [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
SAXLER, Adam William; US
Mandataire :
MYERS BIGEL SIBLEY & SAJOVEC, P.A.; P.O. Box 37428 Raleigh, North Carolina 27627, US
Données relatives à la priorité :
10/752,97007.01.2004US
Titre (EN) CO-DOPING FOR FERMI LEVEL CONTROL IN SEMI-INSULATING GROUP III NITRIDES
(FR) CO-DOPAGE POUR LE CONTROLE DU NIVEAU DE FERMI DANS DES NITRURES DU GROUPE III SEMI-ISOLANTES
Abrégé :
(EN) Semi-insulating Group III nitride layers and methods of fabricating semi-insulating Group III nitride layers include doping a Group III nitride layer with a shallow level p-type dopant and doping the Group III nitride layer with a deep level dopant, such as a deep level transition metal dopant. Such layers and/or method may also include doping a Group III nitride layer with a shallow level dopant having a concentration of less than about 1× 1017 cm-3 and doping the Group III nitride layer with a deep level transition metal dopant. The concentration of the deep level transition metal dopant is greater than a concentration of the shallow level p-type dopant.
(FR) L'invention concerne des couches de nitrures du Groupe III semi-isolantes et des procédés de fabrication de couches de nitrures du Groupe III semi-isolantes consistant à doper une couche de nitrures du Groupe III avec un dopant de type p à niveau peu profond et à doper la couche de nitrures du Groupe III avec un dopant à niveau profond. Ces couches et/ou ce procédé peuvent aussi consister à doper une couche de nitrures du Groupe III avec un dopant à niveau peu profond possédant une concentration inférieure à 1 x 1017 cm3 et à doper la couche de nitrures du Groupe III avec un dopant de métal de transition à niveau profond. La concentration du dopant de métal de transition à niveau profond est supérieure à la concentration du dopant de type p à niveau peu profond.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020060127028EP1709669JP2007518266CN1910736CA2552704